Beschwerdekammern des Europäischen Patentamts Entscheidung vom 16.11.2023 – T 1953/20

Beschwerde-Aktenzeichen: T 1953/20 - 3.4.03

E N T S C H E I D U N G

der Technischen Beschwerdekammer 3.4.03 vom 16. November 2023 Beschwerdeführerin 1:

(Anmelderin 1) Beschwerdeführerin 2:

(Anmelderin 2) Vertreter:

Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg Schlossplatz 4 91054 Erlangen (DE) Hersina, Günter Schoppe, Zimmermann, Stöckeler Zinkler, Schenk & Partner mbB Patentanwälte Radlkoferstrasse 2 81373 München (DE) Angefochtene Entscheidung:

Zusammensetzung der Kammer:

Vorsitzender Mitglieder:

Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Hansastr. 27c 80686 München (DE) T. Häusser M. Ley E. Mille Entscheidung der Prüfungsabteilung des Europäischen Patentamts, die am 1. Juli 2020 zur Post gegeben wurde und mit der die europäische Patentanmeldung Nr. 15195837.8 aufgrund des Artikels 97 (2) EPÜ zurückgewiesen worden ist.

Sachverhalt und Anträge

I. Die Beschwerde richtet sich gegen die Entscheidung der Prüfungsabteilung, die Europäische Patentanmeldung EP 15 195 837 gemäß Artikel 97 (2) EPÜ zurückzuweisen.

II. Die Prüfungsabteilung entschied, dass Anspruch 1 gemäß dem Hauptantrag und gemäß der Hilfsanträge 1 bis 5 nicht den Erfordernissen von Artikel 123 (2) EPÜ genüge und dass Anspruch 3 gemäß den Hilfsanträgen 4 und 5 nicht klar bzw. nicht knapp gefasst (Artikel 84 EPÜ) sei.

Die Hilfsanträge 6 bis 8 wurden von der Prüfungsabteilung gemäß Regel 137 (3) EPÜ nicht zum Prüfungsverfahren zugelassen. Der Gegenstand von Anspruch 1 gemäß den verspäteten Hilfsanträgen 6 und 8 beruhe prima facie nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit (Artikel 56 EPÜ) im Hinblick auf Dokument D3 und dem allgemeinen Fachwissen. Anspruch 1 gemäß den verspäteten Hilfsanträgen 7 und 8 genüge prima facie nicht den Erfordernissen von Artikel 123 (2) EPÜ.

III. Die Beschwerdeführerin beantragt die angefochtene Entscheidung aufzuheben und ein Europäisches Patent auf Grundlage des Hauptantrags oder der Hilfsanträge 1 bis 9 zu erteilen. Der Hilfsantrag 9 wurde mit der Beschwerdebegründung eingereicht, der Hilfsantrag 4 wurde mit Schreiben vom 16. Oktober 2023 eingereicht, die übrigen Anträge entsprechen den Anträgen, die der angefochtenen Entscheidung zugrunde liegen.

IV. Anspruch 1 des Hauptantrags hat den folgenden Wortlaut (Merkmalsbezeichnung durch die Kammer):

(a) Verfahren (100) zum Herstellen eines Kondensators (40; 50; 60; 70) mit folgenden Schritten:

(b) Erzeugen (110) einer Dielektrikumsstruktur (42; 42') in einem Graben (52; 52a; 52b;) eines Halbleitersubstrats (41); (c) wobei die Dielektrikumsstruktur (42; 42') eine Mehrzahl von aneinandergrenzenden Dielektrikumsschichten (44; 46; 62) aufweist, die einander entgegengesetzte mechanische Gesamtspannungen aufweisen; (d) so dass eine erste Dielektrikumsschicht (44; 46; 62) der Dielektrikumsstruktur (42; 42') umfassend Siliziumoxid gebildet wird und (e) eine Schichtdicke aufweist, die größer ist, als 250nm und so dass (f) eine zweite Dielektrikumsschicht (44; 46; 62) umfassend Siliziumnitrid gebildet wird und (g) eine Schichtdicke aufweist, die größer ist, als 600nm; (h) so dass die erste Dielektrikumsschicht und die zweite Dielektrikumsschicht so gebildet werden, dass die erste Schichtdicke zumindest ein 0,4-faches der zweiten Schichtdicke beträgt.

Anspruch 1 gemäß Hilfsantrag 1 enthält die Merkmale (a) bis (h) sowie das folgende zusätzliche Merkmal:

(i) so dass eine Integrationsdichte des Kondensators von zumindest 0,5 nF/mm2 erhalten wird. Anspruch 1 gemäß Hilfsantrag 2 enthält die Merkmale (a) bis (i) sowie die folgenden zusätzlichen Merkmale:

wobei das Verfahren ferner folgende Schritte umfasst:

(j) Bilden (130) eines Elektrodenmaterials (48, 54) an einer dem Halbleitersubstrat (41) abgewandten Seite der Dielektrikumsstruktur (42; 42'); (k) Bilden (140) eines elektrischen Anschlusses (56a; 56b) mit dem Elektrodenmaterial (48, 54); und (l) Entfernen (150) eines Materials der Dielektrikumsstruktur von einer Rückseite des Halbleitersubstrats (41), die einer Seite des Halbleitersubstrats, die den Graben (52; 52a; 52b) aufweist, abgewandt ist.

Anspruch 1 gemäß Hilfsantrag 3 enthält die Merkmale (a) bis (l) sowie die folgenden zusätzlichen Merkmale:

(m) wobei das Halbleitersubstrat (41) als Wafer mit einer Vielzahl von Kondensatorbereichen (70), in denen jeweils zumindest ein Graben (52; 52a; 52b) gebildet ist, bereitgestellt wird; und (n) bei dem die Dielektrikumsstrukturen (42; 42') über die Vielzahl der Kondensatorbereiche hinweg gebildet ist; (o) wobei basierend auf den einander entgegengesetzten mechanische [sic] Gesamtspannungen ein Materialstress soweit reduziert ist, dass nach dem Entfernen (150) des Materials der Dielektrikumsstruktur von der Rückseite des Halbleitersubstrats (41) eine konvexe oder konkave Verformung (88) des Wafers auf eine Auslenkung mit einer vorbestimmten Obergrenze reduziert ist; (p) wobei der Wafer umfassend eine Fläche mit einem Durchmesser von 150 mm bereitgestellt wird, und bei dem Schichtdicken der Dielektrikumsstruktur so gewählt werden, dass nach dem Entfernen (150) des Materials der Dielektrikumsstruktur von der Rückseite des Halbleitersubstrats (41) die Auslenkung der konkaven oder konvexen Verformung (88) kleiner oder gleich ist als 350 μm.

Anspruch 1 gemäß Hilfsantrag 4 enthält die Merkmale (a) bis (f) und (i) und das folgende geänderte Merkmal (g1):

(g1) eine Schichtdicke aufweist, die größer ist, als 1000 [sic]; Anspruch 1 gemäß Hilfsantrag 5 entspricht Anspruch 1 gemäß Hilfsantrag 1, wobei zwischen den Merkmalen (h) und (i) zusätzlich das folgende Merkmal (g1') eingefügt wurde:

(g1') die zweite Dielektrikumsschicht (44; 46; 62) mit einer Schichtdicke erzeugt wird, die zumindest 1000nm beträgt; Anspruch 1 gemäß Hilfsantrag 6 enthält die Merkmale (a) bis (g), d. h. unterscheidet sich von Anspruch 1 des Hauptantrags dadurch, dass Merkmal (h) gestrichen ist. Anspruch 1 gemäß Hilfsantrag 7 enthält die Merkmale (a) bis (g) und das folgende geänderte Merkmal (h1):

(h1) so dass die erste Dielektrikumsschicht und die zweite Dielektrikumsschicht so gebildet werden, dass die erste Schichtdicke zumindest ein 0,4-faches und höchstens ein 1-faches der zweiten Schichtdicke beträgt. Anspruch 1 gemäß Hilfsantrag 8 enthält die Merkmale (a) bis (g), (j) bis (o), das folgende geänderte Merkmal (p1) und das folgende Merkmal (q):

(p1) wobei der Wafer umfassend eine Fläche mit einem Durchmesser von 150 mm bereitgestellt wird, und bei dem Schichtdicken der Dielektrikumsstruktur so gewählt werden, dass nach dem Entfernen (150) des Materials der Dielektrikumsstruktur von der Rückseite des Halbleitersubstrats (41) die Auslenkung der konkaven oder konvexen Verformung (88) kleiner oder gleich ist als 250 μm; (q) so dass der Kondensator eine Dauerbetriebsspannung von zumindest 600 V aufweist; und eine Integrationsdichte von zumindest 1,25 nF/mm2 aufweist. Anspruch 1 gemäß Hilfsantrags 9 ist identisch mit Anspruch 1 gemäß Hilfsantrag 5. V. Die Argumente der Beschwerdeführerin können wie folgt zusammengefasst werden.

Die Erfordernisse von Artikel 123(2) EPÜ sind erfüllt, da die Merkmale (a) bis (h) von Anspruch 1 gemäß Hauptantrag in Kombination in der ursprünglichen Anmeldung offenbart sind. Die Hilfsanträge 4 und 6 bis 9 sind im Beschwerdeverfahren zuzulassen und auch gewährbar.

1. Die Erfindung Die vorliegende Erfindung betrifft einen Kondensator mit einem Halbleitersubstrat und ein Verfahren zum Herstellen desselben. Die Erfindung bezieht sich insbesondere auf eine Stresskompensation in monolithischen Grabenkondensatoren für leistungselektronische Anwendungen zur Erhöhung der Integrationsdichte, siehe Seite 1, Zeilen 7 bis 10 der Beschreibung.

Der Kondensator enthält eine Dielektrikumsstruktur mit einer Mehrzahl von aneinandergrenzenden Dielektrikumsschichten, die einander entgegengesetzte mechanische Gesamtspannungen aufweisen. Die Dicken der Dielektrikumsschichten sollen eine hohe Spannungsfestigkeit erzielen, siehe Seite 2, Zeilen 1 bis 10 der Beschreibung. Gleichzeitig soll eine hohe Oberflächenvergrößerung durch einen Graben erreicht werden, siehe Seite 2, Zeile 12 bis Seite 3, Zeile 11 der Beschreibung.

2. Hauptantrag 2.1 Die Prüfungsabteilung entschied, dass die Merkmale des vorliegenden Anspruchs 1 in individualisierter Form in den ursprünglichen Ansprüchen und Absätzen der Beschreibung gefunden werden könnten. Es gebe jedoch keine Basis für die beanspruchte Kombination der Merkmale (siehe Punkte 17.3.1 bis 17.3.12 der angefochtenen Entscheidung). Insbesondere die Kombination der Merkmale (g) und (h) sei nicht offenbart. Der Fachmann könne der Gesamtheit der Anmeldeunterlagen in ihrer ursprünglich eingereichten Fassung unter Heranziehung des allgemeinen Fachwissens die beanspruchte Merkmalskombination nicht unmittelbar und eindeutig entnehmen. Daher erfülle Anspruch 1 nicht die Erfordernisse von Artikel 123 (2) EPÜ.

2.2 Die Beschwerdeführerin vertritt die Ansicht, dass die Erfordernisse von Artikel 123 (2) EPÜ erfüllt seien.

2.2.1 Materialien gemäß den Merkmalen (d) und (f) Der dritte Absatz auf Seite 19 stelle die Verbindung zwischen dem Herstellungsverfahren 100 der Zeichnung 1 und dem Kondensator 40 der Zeichnung 4 her. Seite 12, zweiter Absatz beziehe sich auch auf das Herstellungsverfahren der Zeichnung 1, welches ab Seite 9 beschrieben werde, und offenbare die Materialien gemäß der Merkmale (d) und (f).

Zu den Merkmalen (d) und (f) argumentiert die Beschwerdeführerin weiter, dass, wenngleich der Begriff "umfassen" anders als "bestehen" auch die Verwendung anderer Materialien vom Wortlaut her nicht ausschließe, der Fachmann an dieser Stelle nichts anderes als eine Siliziumnitridschicht bzw. Siliziumoxidschicht verstehe, wobei Verunreinigungen oder dergleichen nicht ausgeschlossen seien. Würde der Begriff "bestehen" verwendet, wäre jeglicher Einschluss eines einzelnen Fremdatoms ausgeschlossen. Der Fachmann würde nicht in Erwägung ziehen oder wäre nicht in der Lage, eine einzelne Schicht herzustellen, welche sowohl Siliziumoxide und zum großen Teil andere Materialien umfasse. Die Merkmale (d) und (f) bezögen sich damit auf keine anderen Gegenstände als Siliziumoxidschichten und Siliziumnitridschichten, die im Rahmen des technisch Möglichen hergestellt werden.

In der mündlich Verhandlung gab die Beschwerdeführerin als weitere Basis für den Begriff "umfassen" Seite 22, Zeilen 20 bis 22 und Seite 26, Zeile 34 an.

2.2.2 Kombination der Schichtdicken gemäß den Merkmalen (e) und (g) Merkmal (g) sei im dritten Absatz auf Seite 22 offenbart. Dort werde die Dielektrikumsschicht 44 der Zeichnung 4 beschrieben. Der Wert von 600 nm sei zur Abgrenzung vom Stande der Technik eingefügt worden. Im dritten Absatz der Beschreibung auf Seite 22 werden die Dicke d1 und die Dicke d2 nicht nur mit Werten für die Schichtdicke, sondern gleichzeitig mit den verwendeten Materialien verknüpft. Dort werde klar hervorgehoben, dass die erste Dielektrikumsschicht 44 Siliziumoxid aufweise und zwar mit einer Dicke von mehr als 250 nm. Im selben Absatz werde im darauffolgenden Satz die Dicke d2 mit einem Wert von zumindest 600 nm offenbart und als Alternative auch ein Verhältnis zwischen der Dicke d1 und der Dicke d2 gelehrt. Dieses Merkmal werde im weiteren damit verknüpft, dass die Dicke d2 mit einem doppelten, dreifachen, vierfachen oder einer anderen Dicke bezogen auf die Dicke d1 gewählt werde. Selbst der dadurch erzielte Vorteil, nämlich die Reduzierung oder Kompensation mechanischer Spannungen, werde im selben Absatz hervorgehoben. Es liege für den Fachmann klar auf der Hand, dass die Wahl der Schichtdicken vor dem Hintergrund der Problemstellung der Kompensation von Einzelspannungen erfolge, um die Gesamt(material)spannung auszugleichen, siehe dritter Absatz auf Seite 21 und zweiter Absatz auf Seite 22, in dem auf die Inversion der Gesamtspannungen eingegangen werde. Damit seien die Schichtdicken gemäß den Merkmalen (e) und (g) in Kombination und auch ihr Verhältnis zueinander im Absatz 3 auf Seite 22 offenbart.

Der mit "Alternativ" beginnende Satz im "dritten Absatz auf Seite 23" (gemeint ist vermutlich Seite 22, Zeilen 23 bis 26 der Beschreibung der Anmeldung; siehe auch Abschnitt 17.3.7 der angefochtenen Entscheidung) beziehe "sich im Hinblick auf 'Alternativ' auf ein Auslegungskriterium für das Herstellungsverfahren 100" und schließe "damit nicht aus, dass die angegebenen Schichtdicken im beanspruchten Kondensator zu finden" seien (siehe Seite 4, Absätze 2 bis 4 der Beschwerdebegründung). Der gewählte Begriff "Alternativ" beziehe sich somit lediglich auf die alternative Betrachtungsweise der Schichtdickenverhältnisse anstelle der Einzelschichten. Während die Schichtdicken für die Durchbruchsspannung maßgeblich seien, seien die Schichtdickenverhältnisse hilfreich, um die Materialspannungen der gewählten Schichten auszugleichen. Dennoch seien vor dem Lichte des erfindungsgemäß gelösten Problems (siehe Seite 1 der Beschreibung) stets beide Parameter gemeinsam zu berücksichtigen. Somit liege es für den Fachmann vollkommen auf der Hand, dass er die an unterschiedlichen Stellen in der Beschreibung im Zusammenhang mit demselben Kondensator beschriebenen Ausgestaltungen nicht nur kombinieren könne, sondern zu kombinieren habe, um das Problem zu lösen.

2.2.3 Schichtdickenverhältnis gemäß dem Merkmal (h) Merkmal (h) sei im vierten Absatz auf Seite 23 offenbart und beziehe sich sich auf Ausgestaltungen der Schichtdicken der Dielektrikumsstruktur, welche ausgehend von Merkmal (g) in den folgenden Absätzen nahtlos und unter Verwendung derselben Bezugszeichen weiter beschreiben sei, sodass der Fachmann ohne Weiteres erkenne, dass es sich um Ausführungen derselben Ausgestaltung handele, siehe auch Seite 23, letzter Absatz. Es werde eine alternative Konfiguration der Schichten und die Merkmale (d) und (f) gelehrt. Auf Seite 23 sei das Merkmal (h) mit den beanspruchten Materialien offenbart.

In der mündlichen Verhandlung vor der Kammer argumentierte die Beschwerführerin ferner, dass bei Einreichung der Anmeldung auf Seite 23 eine irrtümliche Vertauschung der Materialien stattgefunden habe. Gemeint gewesen sei, dass die erste Schicht eine Siliziumoxidschicht und die zweite Schicht eine Siliziumnitridschicht sei. Dadurch sei Merkmal (h) in Verbindung mit den beanspruchten Merkmalen offenbart. Auch im ursprünglichen Anspruch 3 sei derselbe Fehler passiert. Der Fachmann würde erkennen, dass die Siliziumoxidschicht eine geringere Dicke als die Siliziumnitridschicht aufweisen müsse.

Selbst wenn beispielsweise im ersten Absatz auf Seite 12 andere Schichten für die zweite Dielektrikumsschicht genannt werden würden, werde durch die gesamte Beschreibung die Erfindung anhand des Ausführungsbeispiels der Verwendung von Siliziumoxid und Siliziumnitrid erörtert, siehe beispielsweise der zweite Absatz auf Seite 12, der erste Absatz auf Seite 13, der dritte Absatz auf Seite 13, der dritte Absatz auf Seite 17, der zweite und dritte Absatz auf Seite 23, der erste Absatz auf Seite 24 und weitere. Gleichzeitig mangele es der Beschreibung an einem Hinweis für den Fachmann, dass eine Kombination der Merkmale nicht möglich wäre. Damit ergebe sich für den Fachmann nichts anderes als dass das Merkmal (h) auch in Verbindung mit der gewählten Materialien und den gewählten Schichtdicken offenbart sei.

Die beanspruchten Dicken von 250 nm und 600 nm ergäben rein rechnerisch ein Verhältnis von 250/600 = 0,417. Daraus ergebe sich für den Fachmann die im Merkmal (h) geforderte Ausgestaltung "zumindest ein 0,4-faches der zweiten Schichtdicke". Die Kombination der Merkmale diene für den Fachmann klar erkennbar dazu, Ausführungsbeispiele auszuklammern, welche nicht die erfinddungsgemäß gelöste Aufgabe betreffen, ohne dabei von den beschriebenen Ausführungsbeispielen abzuweichen. Da die Schichtdicke der Siliziumoxidschicht kleiner als die Schichtdicke der Siliziumnitridschicht sei, ergebe sich auch implizit eine Obergrenze von 1.0, welche nicht explizit im Anspruch spezifiziert werden müsse.

Ob eine konkrete Ausführungsform diese Werte ebenfalls nenne, könne dahingestellt bleiben, denn zum einen seien die Merkmale im Zusammenhang mit derselben und übereinstimmenden Figur 4 beschrieben und andererseits lehre der vierte Absatz auf Seite 33, dass auch Modifikationen der beschriebenen Anordnungen und Einzelheiten ausgeführt werden könnten.

2.2.4 Auch die weiteren Einwände unter Abschnitt 17.3 der angefochtenen Entscheidung seien haltlos. Widersprüche in den ursprünglich eingereichten Patentansprüchen, die unter den Abschnitten 17.3.2 bis 17.3.4 der Entscheidungsgründe geltend gemacht wurden, könnten die Übereinstimmung mit Artikel 123 (2) EPÜ nicht in Abrede stellen.

2.3 Aus Sicht der Kammer erfüllt Anspruch 1 des Hauptantrags nicht die Erfordernisse von Artikel 123(2) EPÜ.

2.3.1 Die Merkmale (a) bis (c) entsprechen dem ursprünglichen Anspruch 1. Zeichnung 1 sowie Seite 10, Zeile 26 bis Seite 17, Zeile 7 der Beschreibung stellen allgemein ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators dar. Die Zeichnung 4 und Seite 19, Zeile 16 bis Seite 24, Zeile 11 beschreiben einen durch dieses Verfahren herstellbaren Kondensator.

Zeichnung 2 und Seite 17, Zeile 9 bis Seite 18, Zeile 23 sowie Zeichnung 3 und Seite 18, Zeile 24 bis Seite 19, Zeile 14 beschreiben spezifischere Varianten des Verfahrensschritts 120 der Zeichnung 1 (siehe Seite 17, Zeilen 9 und 10 und Seite 18, Zeilen 24 bis 26). Entsprechend herstellbare Kondensatoren werden in Zeichnung 6 und Seite 24, Zeilen 28 bis 33 bzw. Zeichnung 5 und Seite 24, Zeilen 13 bis 26 beschrieben.

2.3.2 Zu den Materialien gemäß den Merkmalen (d) und (f) Aus der Passage auf Seite 12, Zeile 1 bis Seite 13, Zeile 5 versteht der Fachmann, dass die erste Dielektrikumsschicht eine Siliziumoxidschicht und die zweite Dielektrikumsschicht eine Siliziumnitridschicht ist. Insbesondere Seite 12, Zeilen 8 bis 17 und Zeilen 19 bis 33 stellen klar, dass eine Siliziumoxid- bzw. Siliziumnitridschicht gemeint ist. In diesen Passagen sind Herstellungsverfahren (Oxidation, Gasphasenabscheidung) offenbart, welche Schichten aus Siliziumoxid bzw. Siliziumnitrid ergeben.

Auch die Passagen auf Seite 22, Zeilen 20 bis 22 und Seite 26, Zeile 34 beziehen sich auf Kondensatoren, wobei die Dielektrikumsschichten mittels der genannten Verfahren hergestellt wurden, siehe Seite 21, Zeile 32 bis Seite 22, Zeile 2, Seite 19, Zeilen 16 bis 20 in Verbindung mit Seite 12, Zeile 1 bis Seite 13, Zeile 5, Seite 26, Zeile 19 bis 34 ("nach Oxidation", "nach Nitrid-Abscheidung"). Aus Sicht der Kammer sind damit Schichten offenbart, welche aus Siliziumoxid bzw. Siliziumnitrid bestehen. Verunreinigungen, welche zwangläufig auftreten können, oder jegliche Art von Fremdatomen sind jedoch nicht ausgeschlossen. Der Wortlaut der Merkmale (d) und (f) verlangt jedoch nur, dass die jeweilige Dielektrikumsschicht diese Materialien "umfassen", d.h. (sogar zum großen Teil) auch aus anderen Materialien bestehen können. Diese Variante scheint in der ursprünglichen Anmeldung jedoch nicht offenbart zu sein, jedenfalls nicht in Verbindung mit den beanspruchten Schichtdicken und/oder dem beanspruchten Schichtdickenverhältnis von zumindest 0,4. 2.3.3 Zur Kombination der Schichtdicken gemäß den Merkmalen (e) und (g) Der dritte Absatz auf Seite 22 der Beschreibung offenbart mögliche Untergrenzen (250 nm, 300 nm, 330 nm) für die Dicke d1 der ersten Dielektrikumsschicht 44 (d.h. der Siliziumoxidschicht) und mögliche Untergrenzen (400 nm, 600 nm, 1000 nm) für die Dicke d2 der zweiten Dielektrikumsschicht 46 (d.h. der Siliziumnitridschicht), siehe Seite 22, Zeilen 19 bis 23. Diese stehen zumindest nicht um Widerspruch zu den möglichen Dicken, welche im Zusammenhang mit Zeichnung 1 genannt werden, siehe Seite 12, Zeilen 14 bis 16 sowie Zeilen 26 bis 28, (zumindest 200 nm, zumindest 300 nm, beispielsweise 333 nm für Siliziumoxid und zumindest 400 nm, zumindest 500 nm, zumindest 1000 nm für Siliziumnitrid).

Es ist jedoch fraglich, ob der Fachmann aus dem dritten Absatz auf Seite 22 genau die beanspruchte Kombination der Untergrenzen (250 nm und 600 nm) direkt und unmittelbar ableiten kann. Die Kammer stimmt der Beschwerdeführerin zu, dass zum Erreichen des gemäß der Anmeldung gewünschten Effekts der Stresskompensation die Dicken der Schichten für gegebene Materialien sorgfältig ausgewählt werden müssen. Anders ausgedrückt können die Schichtdicken beider Dielektrikumsschichten nicht unabhängig voneinander ausgewählt werden. Daraus ergibt sich aber, dass die genaue Kombination der beanspruchten Schichtdicken demnach nicht unmittelbar und eindeutig aus dem dritten Absatz der Seite 22 abgeleitet werden kann.

Des Weiteren teilt die Kammer die Ansicht der Prüfungsabteilung (siehe Punkt 17.3.7 der Gründe der angefochtenen Entscheidung), dass sich der zweite Teil des dritten Absatzes auf Seite 22 auf eine alternative Ausführungsform bezieht (siehe Seite 22, Zeilen 23 bis 28, "Alternativ ..."), siehe auch Punkt 2.3.4 unten. Die Kammer stellt auch fest, dass die Dickenkombination gemäß der Merkmale (e) und (g) nicht aus den konkreteren Ausführungsbeispielen der Beschreibung (siehe Zeichnungen 8 und 9, Seite 27, Zeilen 2 bis 4, Seite 28, Zeilen 27 bis 29) oder aus dem ersten ursprünglichen Anspruch "2" der beiden so bezifferten Ansprüche ableitbar ist. In den Ausführungsbeispielen der Zeichnungen 8 und 9 ist die Dicke der Siliziumoxidschicht 330 nm und die Dicke der Siliziumnitridschicht 500 nm bzw. 1080 nm (500 nm einer ersten Teilschicht plus 580 nm einer zweiten Teilschicht). Im ersten ursprünglichen Anspruch 2 werden "größer ... als 250nm" und "größer ... als 550nm" als Dicken genannt.

2.3.4 Zum Schichtdickenverhältnis gemäß Merkmal (h) Wie schon oben ausgeführt bezieht sich der zweite Teil des dritten Absatzes auf Seite 22 nach Auffassung der Kammer auf eine alternative Ausführungsform. Weitere Varianten dieser Alternative befinden sich auf Seite 23, Zeilen 13 bis 35 und Seite 29, Zeilen 7 bis 9. Keine der auf den Seiten 22 und 29 genannten Schichtdickenverhältnisse (1/2 = 0,5; 1/3 = 0,33; 1/4 = 0,25) entspricht dem Merkmal (h).

Seite 23, Zeilen 13 bis 17 bezieht sich auf eine Ausführungsform ohne Merkmal (h), wobei die Dicken der Siliziumoxid- und Siliziumnitridschichten nicht explizit offenbart sind. Zudem wird in dieser Passage offenbart, dass die zweite Schichtdicke (der Siliziumnitridschicht) eine Dicke zwischen 100% und 500% der ersten Schichtdicke (der Siliziumoxideschicht) aufweist. Anders ausgedrückt beträgt hier die erste Schichtdicke zumindest ein 0,2-faches der zweiten Schichtdicke, ohne jedoch dicker zu sein. Weder entspricht dies dem Merkmal (h), noch kann das beanspruchte Merkmal daraus unmittelbar und eindeutig abgeleitet werden.

Seite 23, Zeilen 19 bis 35 definiert als "erste Schichtdicke" die Dicke der Siliziumnitridschicht und als "zweite Dicke" die Dicke der Siliziumoxidschicht. Dies steht im Einklang mit z.B. Seite 13, Zeilen 22 bis 24, wonach die Siliziumnitridschicht zwischen dem Substrat und der Siliziumoxidschicht angeordnet ist. Zum Beispiel offenbart Seite 23, Zeilen 28 bis 31 in Verbindung mit den Zeilen 19 und 20, dass die Schichtdicke der Siliziumnitridschicht zumindest ein 0,4-faches und höchstens ein 1,5-faches der Dicke der Siliziumoxidschicht beträgt. Oder die Zeilen 21 bis 23 der Seite 23 offenbaren, dass die Schichtdicke der Siliziumnitridschicht zumindest ein 0,4-faches und höchstens ein 1-faches der Dicke der Siliziumoxidschicht beträgt. Auch dies entspricht nicht dem Merkmal (h).

Es gibt keine Hinweise darauf, dass bei Einreichung der Anmeldung auf Seite 23 eine irrtümliche Verwechselung der Materialien stattgefunden hätte. Selbst wenn an mehreren Stellen der Beschreibung die erste Schicht 44 als Siliziumoxidschicht und die zweite Schicht 46 also Siliziumnitridschicht beschrieben wird, wird auf Seite 13, Zeilen 22 bis 24 deutlich, dass die erste Schicht 44 der Zeichnung 4 eine Siliziumoxidschicht oder eine Siliziumnitridschicht sein kann, wobei dann die zweite Schicht 46 eine Siliziumnitrid- bzw. eine Siliziumoxidschicht ist. Der vierte und fünfte Paragraph auf Seite 23 steht auch im Einklang mit dem ursprünglichen Anspruch 3. Auch aus dem rein rechnerischen Verhältnis der beanspruchten Dicken (250 nm/600 nm = 0.417) kann das Merkmal (h) nicht abgeleitet werden. Selbst wenn dieses Argument überzeugend wäre, könnte der Fachmann aus dem dritten Absatz der Seite 22 auch andere Schichtdickenverhältnisse ableiten, z.B. 250/1000 = 0,25 oder 330/400 = 0,825. Die Kammer ist nicht überzeugt, dass der Fachmann das beanspruchte Merkmal (h) so aus zwei individuellen Schichtdicken unmittelbar und eindeutig ableiten kann. Aus dem Wortlaut des Anspruchs ergibt sich auch nicht, dass die Siliziumoxidschicht implizit dünner als die Siliziumnitridschicht ist.

Dementsprechend offenbaren die Zeilen 21 bis 33 auf Seite 23 das Merkmal (h) weder alleine noch in Kombination mit Dicken gemäß den Merkmalen (e) und (g). Gleiches scheint für die Offenbarung des ursprünglichen Anspruchs 3, wenn rückbezogen auf den zweiten ursprünglichen Anspruch 2 der beiden so bezifferten Ansprüche, zu gelten.

2.3.5 Mit anderen Worten scheint die Kombination der Merkmale (d), (e), (f), (g) und (h) nicht in der ursprünglichen Anmeldung offenbart zu sein.

2.3.6 Die Kammer merkt ferner an, dass in keiner der konkreteren Ausführungsformen der Beschreibung die Dicken gemäß der Merkmale (e), (g) und (h) gewählt sind, siehe Seite 27, Zeilen 2 bis 4 (d1=330 nm, d2=500nm [< 600 nm im Gegensatz zu Merkmal (g)], d1/d2= 0.66) und Seite 28, Zeilen 27 bis 29 (d1=330 nm, d2=1080nm, d1/d2= 0.31 [< 0.4 im Gegensatz zu Merkmal (h)]), Seite 29, Zeilen 7 bis 9 (d1=333 nm, d2=1080nm, d1/d2= 0.33 [< 0.4 im Gegensatz zu Merkmal (h)]). Auch in Verbindung mit dem pauschalen Satz auf Seite 33, vierter Absatz, würde der Fachmann aus den konkreten Ausführungsformen den beanspruchten Gegenstand nicht unmittelbar und eindeutig ableiten können.

2.4 Insofern stimmt die Kammer der Auffassung der Prüfungsabteilung bezüglich Artikel 123 (2) EPÜ zu und erkennt auch keine rechtsfehlerhafte Anwendung des EPÜ oder der Kriterien des Artikels 123 (2) EPÜ, wie von der Beschwerdeführerin behauptet. Nachdem die Prüfungsabteilung zur Auffassung gelangte, dass die Erfordernisse von Artikel 123 (2) EPÜ nicht erfüllt sind, gab es keinen Anlass sich mit den weiteren Erfordernissen des EPÜ (wie erfinderischer Tätigkeit) zu befassen. Eine Verweigerung der Prüfungsabteilung, sich inhaltlich mit der "eigentlichen Erfindung" auseinanderzusetzen, wie von der Beschwerdeführerin im Schreiben vom 16. Oktober 2023 behauptet, kann die Kammer nicht erkennen.

3. Hilfsanträge 1 bis 3 und 5 Der jeweilige Anspruch 1 der Hilfsanträge 1 bis 3 und 5 enthält die bemängelte Kombination der Merkmale (d) bis (h) und verstößt daher ebenso gegen Artikel 123 (2) EPÜ.

4. Hilfsantrag 4 - Zulassung Gemäß Artikel 13 (2) VOBK 2020 bleiben Änderungen des Beschwerdevorbringens eines Beteiligten nach Zustellung der Ladung zur mündlichen Verhandlung grundsätzlich unberücksichtigt, es sei denn, der betreffende Beteiligte hat stichhaltige Gründe dafür aufgezeigt, dass außergewöhnliche Umstände vorliegen.

Hilfsantrag 4 wurde mit Schreiben vom 16. Oktober 2023 eingereicht. Die Beschwerdeführerin argumentierte, dass sie den Hilfsantrag 4 irrtümlicherweise nicht mit der Beschwerdebegründung eingereicht habe. Aus Seite 6 ("Durch Streichung des Anspruchs [3], im überarbeiteten Hilfsantrag 4 ist dieser Einwand ausgeräumt") und Seite 11 der Beschwerdebegründung sei ersichtlich, dass dies beabsichtigt gewesen sei.

Laut angefochtener Entscheidung (Punkte 11, 15 und 21.3) hat der vierte Hilfsantrag, welcher der Entscheidung zugrunde liegt, die am 28. April 2020 eingereichte und nicht die am 28. Mai 2020 eingereichte Fassung, siehe auch Punkte 4 und 5 der Niederschrift der mündlichen Verhandlung. Zu diesem Hilfsantrag 4 bringt die Beschwerdeführerin zwar vor, dass durch Streichung des Anspruchs 3 "im überarbeiteten Hilfsantrag 4" der Einwand unter Artikel 84 EPÜ ausgeräumt sei, ohne jedoch einen solchen "überarbeiteten" Antrag einzureichen. Ein irrtümliches Unterlassen einen Antrag einzureichen, kann jedoch nicht als außergewöhnlicher Umstand gewertet werden, der ein Einreichen des Antrags zu einem derart späten Zeitpunkt rechtfertigen würde.

Aus diesem Grund alleine wird Hilfsantrag 4 nicht zum Beschwerdeverfahren zugelassen (Artikel 13 (2) VOBK 2020). Des Weiteren entspricht der am 16. Oktober 2023 eingereichte Hilfsantrag 4 dem schon am 28. Mai 2020 eingereichten Hilfsantrag 4, siehe das Schreiben der Beschwerdeführerin vom 16. Oktober 2023, Seite 8, zweiter Absatz unter dem Titel "Hilfsanträge 4 und 5". Gemäß Seite 1, letzter Abschnitt der Niederschrift der mündlichen Verhandlung wurde dieser Hilfsantrag 4 vom 28. Mai 2020 zunächst von der Prüfungsabteilung nicht zum Verfahren zugelassen. Danach wurde er durch den Hilfsantrag 4 vom 28. April 2020 ersetzt, also nicht mehr von der Beschwerdeführerin aufrechterhalten, siehe Punkte 4 und 5 der Niederschrift. Demnach wäre der gegenwärtige Hilfsantrag 4 nach Artikel 12 (6) VOBK 2020 nicht zum Beschwerdeverfahren zuzulassen, selbst wenn er bereits mit der Beschwerdebegründung eingereicht worden wäre.

5. Hilfsanträge 6 bis 8 - Zulassung Gemäß Artikel 12 (6) VOBK 2020 lässt die Kammer Anträge, die in dem Verfahren, das zu der angefochtenen Entscheidung geführt hat, nicht zugelassen wurden, nicht zu, es sei denn, die Entscheidung über die Nichtzulassung war ermessensfehlerhaft oder die Umstände der Beschwerdesache rechtfertigen eine Zulassung.

Die Beschwerdeführerin argumentiert, dass aus der "rechtsfehlerhafte Anwendung des EPÜ durch die Prüfungsabteilung die Übermittlung der Hilfsanträge 6-8 überhaupt erst erforderlich machte". Es könne der Beschwerdeführerin nicht "zugemutet" werden, "vor dem Lichte einer willkürlichen Auslegung des EPÜ zu erraten, welche Konkretisierung der Patentansprüche die Prüfungsabteilung veranlassen würde, sich inhaltlich mit der Erfindung" zu beschäftigen (Schreiben vom 16. Oktober 2023, Seite 8). Die Hilfsanträge 6 bis 8 seien daher im weiteren Verfahren zu berücksichtigen und auch gewährbar.

Die Hilfsanträge 6 und 7 wurden einen Tag vor der mündlichen Verhandlung und Hilfsantrag 8 wurde im Laufe der mündlichen Verhandlung vor der Prüfungsabteilung eingereicht. Sie gelten daher eindeutig als verspätet. Die Prüfungsabteilung hat die verspäteten Hilfsanträge 6 bis 8 nicht zugelassen (Regel 137 (3) EPÜ), weil sie prima facie nicht die Erfordernisse des EPÜ erfüllten. Dies wurde in der mündlichen Verhandlung mit der Beschwerdeführerin diskutiert (siehe Punkte 4 bis 10 der Niederschrift) und in der angefochtenen Entscheidung begründet (siehe Punkte 25 bis 27 der Gründe). Im Übrigen waren die Einwände gemäß den Artikeln 123 (2) und 56 EPÜ der Beschwerdeführerin grundsätzlich aus der Ladung zur mündlichen Verhandlung und aus der Niederschrift des Telefonats von 14. Mai 2020 bereits bekannt.

Die Kammer erkennt darin keine ermessensfehlerhafte Nichtzulassung und sieht auch keine rechtfertigenden Gründe für eine Zulassung, insbesondere angesichts ihrer vorläufigen Meinung, dass der Gegenstand von Anspruch 1 des Hilfsantrags 6 nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit zu beruhen scheint und dass die Hilfsanträge 6 bis 8 nicht den Erfordernissen von Artikel 123 (2) EPÜ zu genügen scheinen, siehe Bescheid der Kammer nach Artikel 15 (1) VOBK 2020. Die Hilfsanträge 6 bis 8 werden daher nach Artikel 12 (6) VOBK 2020 nicht zum Beschwerdeverfahren zugelassen.

6. Hilfsantrag 9 - Zulassung Gemäß Artikel 12 (6) VOBK 2020 lässt die Kammer Anträge, die in dem Verfahren, das zu der angefochtenen Entscheidung geführt hat, vorzubringen gewesen wären oder die nicht mehr aufrechterhalten wurden, nicht zu, es sei denn, die Umstände der Beschwerdesache rechtfertigen eine Zulassung.

Hilfsantrag 9 entspricht Hilfsantrag 5, wobei Anspruch 3 gestrichen wurde. Die Kammer ist der vorläufigen Meinung, dass die Beschwerdeführerin Hilfsantrag 9 im Prüfungsverfahren hätte einreichen müssen, um dem gegen Anspruch 3 erhobenen Einwand nach Artikel 84 EPÜ Rechnung zu tragen.

Die Kammer erkennt auch keine Umstände der Beschwerdesache, welche eine Zulassung rechtfertigen würden, zumal Anspruch 1 gemäß Hilfsantrag 9 identisch mit dem nicht gewährbaren Anspruch 1 gemäß Hilfsantrag 5 ist. Der Hilfsantrag 9 wird daher nach Artikel 12 (6) VOBK 2020 nicht zum Beschwerdeverfahren zugelassen.

7. Da kein zulässiger und gewährbarer Antrag vorliegt, muss die Beschwerde scheitern.

Entscheidungsformel

Aus diesen Gründen wird entschieden:

Die Beschwerde wird zurückgewiesen. Der Geschäftsstellenbeamte:

Der Vorsitzende:

T. Buschek T. Häusser