Beschwerdekammern des Europäischen Patentamts Entscheidung vom 07.02.1995 – T 1118/92

Aktenzeichen: T 1118/92 - 3.4.1

E N T S C H E I D U N G

der Technischen Beschwerdekammer 3.4.1 vom 17. Februar 1995 Beschwerdeführer:

EUPEC Max-Planck-Straße 5 D-59581 Warstein/Belecke (DE) Vertreter:

Fuchs, Franz-Josef, Dr.-Ing. Postfach 22 13 17 D-80503 München (DE) Angefochtene Entscheidung:Entscheidung der Prüfungsabteilung 048 des Europäischen Patentamts vom 18. August 1992, mit der die europäische Patentanmeldung Nr. 86 111 060.9 aufgrund des Artikels 97 (1) EPÜ zurückgewiesen worden ist.

Zusammensetzung der Kammer:

Vorsitzender:

G. D. Paterson Mitglieder: Y. Van Henden H. J. Reich

Sachverhalt und Anträge

I. Die europäische Patentanmeldung Nr. 86 111 060.9 (Veröffentlichungsnummer 0 214 485) wurde durch Entscheidung der Prüfungsabteilung zurückgewiesen.

II. Dem Zurückweisungsbeschluß liegen ein am 13. März 1992 mit Schriftsatz vom 12. März 1992 eingereichter neuer Anspruch 1 sowie ursprünglich eingereichte unabhängige Ansprüche 5 und 6 zugrunde. Ansprüche 1 und 5 lauten wie folgt:

"1. Asymmetrischer Thyristor aus einem scheibenförmigen Halbleiterkörper mit mindestens vier Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps, bei dem die beiden äußeren Zonen hoch n- bzw. hoch p-dotiert sind und die n-leitende Basiszone aus einer an die innere p-Schicht angrenzenden schwach dotierten n--Schicht und einer an die äußere p+-Schicht angrenzenden höher dotierten nSchicht mit vom nn--Übergang ansteigender Dotierungskonzentration besteht, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Dicke und die Dotierungskonzentration der n--Schicht (2a) so bemessen sind, daß der Maximalwert der Feldstärke E2 bei der höchsten Vorwärtsspannung am pn--Übergang (J2) 1,5 x 105 V/cm beträgt, daß die Feldstärke in der n-Schicht (2a) entsprechend dem Verlauf ihrer Dotierung abnimmt und am nn--Übergang (Jhl) einen Wert Ehl von 0,1 E2 bis 0,4 E2 hat, und daß die Dotierungskonzentration in der n-Schicht (2b) von nn--Übergang (Jhl) in Richtung zum anodenseitigen pn-Übergang (Jl) auf einer Strecke von mindestens 50 µm auf ihren Maximalwert ansteigt. .../...

5. Verfahren zum Herstellen eines asymmetrischen Thyristors nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch die Reihenfolge nachstehend aufgeführter Verfahrensschritte a) Ausbilden einer n-leitenden Schicht (2 b') mit einer Schichtdicke von 45 bis 55 µm und einer Dotierungskonzentration von etwa 1,3 . 1017 Phosphoratomen/cm3 durch epitaktisches Abscheiden auf ein schwach nleitendes Siliziumsubstrat (2 a'), b) Aufbringen von Oxidschichten (20) auf die Oberflächen durch thermische Oxidation mit feuchtem Sauerstoff und anschließend einseitigem Absätzen der Oxidschicht auf der Oberfläche des schwach n-leitenden Substrats, c) Eindiffusion von Gallium zur Bildung einer pleitenden Zone (3') auf der nicht maskierten Oberfläche mit einer Eindringtiefe von etwa 60 µm und einer Galliumoberflächenkonzentration von 1 . 1018 bis 6 . 1018 Atomen/cm3 und zur Bildung einer pleitenden Zone (1') auf der maskierten Oberflächenseite und Ausbildung eines pn-Überganges (J1) in einer Tiefe von 25 bis 35 µm, d) Aufbringen einer Oxidschicht (21) durch thermische Oxidation mit feuchtem Sauerstoff auf der nicht mit einer Oxidschicht bedeckten Oberfläche der pleitenden Zone (3'), Einätzen von Fenstern (22) in diese Oxidschicht und Eindiffusion von Phosphor durch diese Fenster bei etwa 1260 °C während einer Dauer von 4 bis 8 h mit einer Oberflächenkonzentration von etwa 5 . 1021 Atomen/cm3, .../...

e) Schließen der geätzten Fenster (22) durch einen weiteren Oxidationsschritt mit feuchtem Sauerstoff, anschließendes Entfernen der anodenseitigen Oxidschicht (20) und Eindiffusion von Bor bei 1255 °C während einer Dauer von 1 bis 3 h und Ausbilden der p+-Emitterschicht (1') mit einer Akzeptoroberflächenkonzentration von etwa 1020 Atomen/cm3, f) Entfernen der kathodenseitigen Oxidschicht und Eindiffusion von Gold bei 830 bis 860 °C während einer Dauer von etwa 1 h nach Goldbedampfung der Siliziumscheiben im Hochvakuum oder chemischer Goldabscheidung aus einer Goldsalzlösung."

Anspruch 6 unterscheidet sich vom Anspruch 5 dadurch, daß Absatz (a) wie folgt lautet:

"a) Ausbilden einer n-leitenden Schicht (2 b") durch Ionenimplantation von etwa 3 . 1015 Phosphoratomen/cm2 auf einem schwach n-leitenden Siliziumsubstrat und nachfolgender Eindiffusion der Phosphoratome, so daß der entstehende nn-Übergang in einer Tiefe von mindestens 60 µm von der belegten Oberfläche gebildet wird," und daß im Absatz (e) "Akzeptoroberflächenkonzentration" durch "Akzeptorkonzentration" ersetzt ist.

III. Die Zurückweisung wurde damit begründet, daß bei Berücksichtigung des im Lehrbuch D4:

S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, zweite Ausgabe, John Wiley & Sons, New York, 1981, Seiten 74 bis 77 .../... offenbarten Grundwissens des Halbleiter-Technikers ein asymmetrischer Thyristor gemäß Anspruch 1 bzw. ein Verfahren gemäß einem der Ansprüche 5 und 6 gegenüber dem Dokument D3:

FR-A-2 514 558 implizit entnehmbaren Stand der Technik nicht als neu bzw. nicht als auf einer erfinderischen Tätigkeit beruhend angesehen werden dürfte.

IV. Die Beweisführung der Prüfungsabteilung läßt sich im wesentlichen wie folgt zusammenfassen:

Ein asymmetrischer Thyristor gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 ist unstrittig aus Dokument (D3) bekannt und die in (D4) veröffentlichten Gleichungen ermöglichen es, die Feldstärke innerhalb dieses Thyristors in erster Näherung leicht zu berechnen. Dabei muß jedoch berücksichtigt werden, daß die auf Seite 7 des Dokuments (D3) befindlichen Dickenangaben einer Interpretation bedürfen, denn sie beziehen sich offensichtlich nicht auf die unvollständige Struktur nach Figur 3a sondern auf das fertige Halbleiterbauelement. Würde man diese Angaben buchstäblich lesen, dann würde man folgern, daß die Dicke der n--Schicht (22) im fertigen Thyristor zwischen 10 µm und 50 µm liegt, wobei eine Spannung von etwa 1200 V nicht blockiert werden könnte.

Wenn die maximale Feldstärke (Em) in der für abrupte pnÜbergänge geltenden Gleichung 12 des Dokuments (D4) den Wert von 150 kV/cm annimmt, dann beträgt die Ausdehnung (in) der Verarmungszone im n-dotierten Bereich 99 µm. Wenn die Dicke der n--Zone (22) des aus .../...

(D3) bekannten Thyristors im Bereich von 59 bis 89 µm liegt, dann nimmt die Feldstärke am n-n+-Übergang zu einem Wert von 0,1 Em bis 0,4 Em linear ab. Somit fällt die gemäß (D3) vorgesehene Dicke der n--Zone von 60 µm in den beanspruchten Bereich. Zwar ist der Figur 14 b des Dokuments (D4) zu entnehmen, daß im Falle eines diffundierten pn-Übergangs die maximale Feldstärke am besagten Übergang etwa 10 bis 20 % niedriger ist als im Falle eines abrupten Übergangs. Statt mit 150 kV/cm muß man deshalb mit 160 bis 170 kV/cm rechnen, wobei sich eine Ausdehnung (in) von etwa 110 bis 120 µm und eine Dicke der n--Schicht von 70 bis 110 µm ergeben. Die in (D3) erwähnte Dicke der n--Zone von 100 µm fällt somit nach wie vor in den beanspruchten Bereich.

Der in (D4) veröffentlichten Gleichung (14) entnimmt man, daß bei gleichen Werten der Parameter (Em, in) die Sperrspannung im Falle eines abrupten pn-Übergangs 750 V beträgt. Im Falle der aus (D3) bekannten p+n-n+-Struktur, in der die Feldstärke am n-n+-Übergang zu einem Wert (á Em + Em) abnimmt, beträgt die Sperrspannung (1-á2) Em in/2. Wenn (á) zwischen 0,1 und 0,4 liegt, dann liegt diese Sperrspannung im Bereich von 630 bis 740 V, also unter der maximalen Blockierspannung von 1200 V des bekannten Thyristors. Somit kann die maximale Feldstärke von 150 kV/cm auch angelegt werden. Die effektive Sperrspannung wird auch vom Wert des abrupten pnÜbergangs um etwa 10 bis 20 % korrigiert. Sie verbleibt aber im geeigneten Spannungsbereich.

Die n-leitende Schicht des beanspruchten Thyristors kann durch Ionenimplantation von Phosphoratomen mit nachfolgender Diffusion erzeugt werden und ist mindestens 60 µm dick. Da die n+-Schicht (21) des aus .../... (D3) bekannten Thyristors genauso hergestellt werden kann und eine Dicke von 70 µm hat, so muß man annehmen, daß auch dieser Thyristor eine Dotierungskonzentration in der n+-Schicht aufweist, die auf einer Strecke von mindestens 50 µm vom n-n+-Übergang auf ihren Maximalwert ansteigt. Somit liegen alle Merkmale des Anspruchs 1 in (D3) schon vor.

Schließlich liegt es für den Fachmann auf der Hand, eine n-Schicht durch epitaktisches Abscheiden auf einem Substrat herzustellen, eine Anoden- und eine pBasisschicht durch Diffusion von Gallium gleichzeitig auszubilden, sowie die in den Ansprüchen 5 und 6 explizit angegebenen Parameter zu wählen. Somit beruht ein Verfahren gemäß Anspruch 5 oder 6 nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit.

V. Gegen die Entscheidung der Prüfungsabteilung hat die Anmelderin Beschwerde eingelegt und beantragt, den Zurückweisungsbeschluß aufzuheben, das europäische Patent mit den Ansprüchen 1, 5 und 6 sowie den im Verfahren befindlichen abhängigen Unteransprüchen zu erteilen und hilfsweise eine mündliche Verhandlung anzuberaumen.

VI. Zur Stützung ihrer Anträge trägt die Beschwerdeführerin im wesentlichen folgendes vor:

Wie dick die stark p-dotierte Schicht (20) ist, läßt sich aus (D3) nicht entnehmen. Damit enthält (D3) auch keine Information darüber, wie dick die stark n-dotierte Schicht (21) ist, sowie ob die Dotierungskonzentration in der n-Schicht vom nn--Übergang in Richtung zum .../...

anodenseitigen pn-Übergang auf einer Strecke von mindestens 50 µm auf ihren Maximalwert ansteigt. Den Ausführungen in (D3) nach hat der vorbekannte Thyristor den Vorteil, daß mit ihm eine Sperrspannung von 20 V/µm erreicht werden kann. Als weiterer Parameter ist die Dotierungskonzentration der Zone (22) mit 1014/cm3 angegeben. Über die Beziehung (Em = q ND i/gs) mit (q/gs = 1,5 x 10-7 V cm) und (i = 100 µm) erhält man somit im Falle eines abrupten pn-Übergangs eine Feldstärke von 150 kV/cm. Mit einer Breite der Raumladungszone von 100 µm und einer maximalen Feldstärke von 150 kV/cm ergibt sich dann wegen des Zusammenhangs (U = Edi) eine maximal erreichbare Spannung von 750 V. Wenn die Donatorkonzentration (ND) gegenüber der Akzeptorkonzentration (NA) nicht vernachlässigbar ist, baut sich aber die Raumladungszone in Abhängigkeit von ihrer Dotierungskonzentration auch in der p-dotierten Zone (24) auf. Unterstellt man, daß die Zone (24) 20 % der Spannung aufnehmen kann, so würde die maximale Spannung des Thyristors 900 V betragen. Unterstellt man zusätzlich, daß durch den diffundierten pn-Übergang zwischen den Zonen (22, 24) eine Absenkung der maximalen Feldstärke (Em) um 10 bis 20 % möglich ist, dann brächte eine Erhöhung der Feldstärke auf 150 kV/cm eine nochmalige Steigerung der höchsten Vorwärtsspannung um 10 bis 20 %, d. h. auf 990 bis 1080 V. Dieser Wert steht nun in krassem Widerspruch zu der Angabe, nach der bei 100 µm Dicke der Zone (22) 2000 V Sperrspannung erreicht werden müßte. Nachdem dieses Kriterium in (D3) nicht erfüllt ist, kann keine Rede davon sein, daß eine bei der höchsten Vorwärtsspannung am pn--Übergang 150 kV/cm betragende maximale Feldstärke dem Dokument (D3) implizit entnehmbar sei. Bei dieser Sachlage kann es .../...

nicht mehr darauf ankommen, ob auch das Merkmal einer entsprechend dem Verlauf der Dotierung in der nSchicht (2a) abnehmende, am nn--Übergang (Jh1) einen Wert von 0,1 E2 bis 0,4 E2 aufweisenden Feldstärke implizit in (D3) enthalten ist oder nicht. Schließlich unterscheiden sich fast sämtliche Merkmale der selbständigen Ansprüche 5 und 6 derart erheblich vom sich aus (D3) ergebenden Stand der Technik, daß nicht ersichtlich ist, auf welche Weise sich der Fachmann eine Anregung zu dem beanspruchten Verfahren hätte holen können. Obendrein hat die Prüfungsabteilung nicht begründet, weshalb sich die Prozeßparameter und Schritte der genannten Verfahren im Rahmen normalen fachmännischen Handelns bewegen würden.

VII. Mit Bescheid vom 26. Januar 1995 hat die Kammer der Beschwerdeführerin mitgeteilt, daß ihrer Auffassung nach die kennzeichnenden Merkmale der Erfindung dem Dokument (D3) nicht entnommen werden können. Da die Prüfungsabteilung nicht geprüft hatte, ob diesen Merkmalen eine erfinderische Tätigkeit zugrunde liege, hat die Kammer die Beschwerdeführerin gebeten anzugeben, ob die Angelegenheit gemäß Artikel 111 (1) EPÜ durch die Kammer selbst geprüft, oder an die Vorinstanz zur Vermeidung eines Instanzverlustes zurückverwiesen werden solle.

VIII. Mit Schreiben vom 1. Februar 1995 hat die Beschwerdeführerin den Antrag gestellt, die Anmeldung an die Vorinstanz zurückzuverweisen.

.../...

1. Es ist nicht bestritten worden, daß ein asymmetrischer Thyristor gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 aus Dokument (D3) vorbekannt ist. Mit Rücksicht auf Figur 3 des genannten Dokuments nebst dazu gehörender Beschreibung teilt die Kammer diese Auffassung - siehe:

Seite 1, Zeilen 9 bis 16; Seite 5, Zeilen 23 bis 30; Seite 7, Zeilen 12 bis 28; Seite 9, Zeilen 3 bis 7. 2. Zunächst hat die Kammer festzustellen, ob Dokument (D3) entnommen werden kann, daß bei dem auf Figur 2 abgebildeten asymmetrischen Thyristor die schwach ndotierte Schicht (22) 60 bis 100 µm dick ist.

2.1 Dokument (D3) lehrt, daß bei asymmetrischen Thyristoren die maximale Vorwärtssperrspannung in V ungefähr zwanzig mal die Dicke in µm der schwach n-dotierten Basiszone, also zwei mal so viel wie bei herkömmlichen symmetrischen Thyristoren, betragen kann - siehe Seite 4, Zeilen 23 bis 29. Zwar ist dort erwähnt, daß somit bei gleicher Dicke der n-Basiszone eine Verdoppelung der höchsten Vorwärtssperrspannung gegenüber symmetrischen Thyristoren erreicht werden kann - siehe Seite 4, Zeilen 33 bis 35. Dennoch wird dort die Aufmerksamkeit des Lesers zuvor darauf hingelenkt, daß bei gleicher höchster Vorwärtsspannung die bei asymmetrischen Thyristoren erreichte Erhöhung der Sperrfähigkeit eine Reduzierung der Dicke der schwach ndotierten Basiszone ermöglicht, wodurch eine Verlustverminderung sowie eine Verbesserung von die Schaltgeschwindigkeit betreffenden Kompromissen erzielt werden kann - siehe Seite 4, Zeilen 30 bis 33. Hieraus entnimmt der Fachmann, daß sich das Dokument (D3) nicht ausschließlich auf asymmetrische .../...

Thyristoren bezieht, bei denen die schwach dotierte nBasiszone mindestens 60 µm dick ist, und daß die Herstellung von dünnere n-Basiszonen aufweisenden asymmetrischen Thyristoren das der in der Patentanmeldung (D3) offenbarten Erfindung zugrunde liegende Hauptanliegen des Erfinders gewesen sein könnte.

2.2 Im Dokument (D3) wird dargelegt, daß man zum Herstellen einer Struktur gemäß Figur 2 von einem schwach ndotierten, aus monokristallinem Silizium bestehenden Substrat ausgehen und eine Struktur gemäß Figur 3a, bei welcher die stark n-dotierte Schicht (21) 70 µm bzw. die schwach n-dotierte Schicht (22) 60 bis 100 µm dick ist, herstellen kann, wonach die p-Steuerbasiszone (24) durch Eindringen von Boratomen bis ungefähr 50 µm tief in die dem nn+-Übergang gegenüberliegende Seite der schwach n-dotierten Schicht (22) hergestellt werden kann - siehe Seite 7, Zeilen 12 bis 17 und 29 bis 34. Daraus folgert der Fachmann, daß die Dicke des nach Durchführung des Herstellungsverfahrens übrigbleibenden Teils der schwach n-dotierten Schicht nur 10 bis 50 µm betragen kann, was, wie die Prüfungsabteilung zutreffend ausgeführt hat, zur Blockierung von über 1200 V liegenden Spannungen nicht hinreicht.

Ein Anlaß, die Lehre des Dokuments (D3) in dieser Hinsicht buchstäblich zu interpretieren, ist jedoch dem Fachmann gegeben, denn man liest dort, daß in der Darlegung des Herstellungsverfahrens jede Schicht auch dann mit dem gleichen Bezugszeichen wie in Figur 2 versehen sein wird, wenn sie ihre endgültige Ausgestaltung noch nicht hat - siehe Seite 7, Zeilen 8 bis 11. Darüber hinaus enthalten die unmittelbar .../...

darauffolgenden Angaben, daß bei Thyristoren, die Spannungen von 1200 V oder mehr blockieren können, die n-Schicht (22) 60 bis 100 µm dick ist, sowie daß die besagte Dicke und die der n+-Schicht (21) im Zusammenhang mit den erwünschten Sperrspannungen geändert werden siehe Seite 7, Zeilen 12 bis 20 -, eine Unklarheit. Es liegt nämlich für den Fachmann auf der Hand, daß eine höchstens 70 µm dicke n+-Schicht (21) und eine 100 µm dicke schwach n-dotierte Schicht (22) nicht jede beliebig hohe Spannung blockieren können, sowie daß den Dicken der genannten Schichten (21, 22) eine durch das Herstellungsverfahren bedingte untere Grenze gesetzt ist. Somit versteht er, daß die bezüglich der Struktur nach Figur 3a angegebenen Dicken der Schichten (21, 22) nur dann geändert werden müssen, wenn die erwünschte Sperrspannung 1200 V oder mehr beträgt, also, daß der Absatz auf Seite 7 des Dokuments (D3), Zeilen 12 bis 20, mit einem sprachlichen Mangel behaftet ist. Dieser Mangel ist offensichtlich die Folge eines Interpunktionsfehlers, welcher durch Einsetzen eines Punktes vor der Präposition "pour" in Zeile 17 sowie durch Ersetzen des Semikolons durch ein Komma am Ende der Zeile 18 ohne weiteres vom Fachmann behoben werden kann.

2.3 Aus diesen Gründen vermag die Kammer nicht, sich der Auffassung der Prüfungsabteilung anzuschließen, nach der die auf Seite 7 des Dokuments (D3) befindlichen Dickenangaben sich nicht auf die unvollständige Struktur gemäß Figur 3a sondern auf das fertige Halbleiterbauelement beziehen würden. Sie stimmt vielmehr mit der Beschwerdeführerin darin überein, daß diese Angaben vom Fachmann wortwörtlich gelesen werden, also, daß bei dem aus (D3) entnehmbaren asymmetrischen Thyristor die .../...

schwach n-dotierte Schicht (22) nur 10 bis 50 µm dick ist.

3. Die Kammer stimmt mit der Beschwerdeführerin ebenfalls überein, daß in Abwesenheit jeder Angabe in (D3) hinsichtlich der Dicke der p+-Emitterzone (20) im vollendeten Thyristor gemäß Figur 3e, sich die Dicke der n+-Schicht (21) des besagten Thyristors (D3) auch nicht entnehmen läßt.

Zwar schließt (D3) nicht aus, daß die p+-Emitterzone (20) dünner als 20 µm sein könnte, im welchen Falle die Dotierungskonzentration in der n+-Schicht (21) vom n+nÜbergang in Richtung zum anodenseitigen pn-Übergang auf einer Strecke von mindestens 50 µm auf ihren Maximalwert ansteigen würde. Sie könnte aber auch wesentlich dicker, z. B. 25 bis 30 µm dick sein - siehe Beispiel 1 in der vorliegenden Patentanmeldung - in welchem Falle der Anstieg der Dotierungskonzentration auf einer Strecke von weniger als 50 µm erfolgen würde. Da sich ein Fachmann an den konventionell üblichen und bereits realisierten p+-Emitterzonendicken orientiert, zieht er bei der Auslegung des Dokuments D3 nur unterhalb von 50 µm liegende Anstiegsstrecken der Dotierungskonzentration als Stand der Technik ernsthaft in Erwägung.

Die Rechtsprechung der Beschwerdekammern im EPA stellt fest, daß die Angabe eines Bereichs in einer Entgegenhaltung die Neuheit eines nicht ausdrücklich erwähnten Merkmals innerhalb dieses Bereichs nur dann implizit vorwegnimmt, wenn in diesem Bereich fallende Ausgestaltungen eines besonderen, in dieser Entgegenhaltung beschriebenen Gegenstandes das besagte Merkmal .../...

zwangsläufig aufweisen. Diesbezüglich verweist die Kammer u. a. auf die Entscheidung T 181/82 (A EPA 1984, S. 401). In dieser Entscheidung hat die Beschwerdekammer die Auffassung vertreten, daß nur durch Vorbeschreibung von Ausgangsstoffen und Verfahrensweise zwangsläufig resultierende Verfahrensprodukte sich als Vergleichsprodukte qualifizieren, sowie daß eine Verbindungsgruppe, in der der Substituent durch einen Bereich gekennzeichnet ist, den Fachmann nur über die aus der Gruppe konkret bezeichneten Einzelindividuen belehrt - cf. Punkt 8 der Entscheidungsgründe.

Da bei einem asymmetrischen Thyristor gemäß Figur 3e des Dokuments (D3) die n+-Schicht (21) nicht zwangsläufig 50 µm oder dicker ist, gilt auch aus diesem Grunde das Merkmal einer vom n+n-Übergang in Richtung zum anodenseitigen pn-Übergang auf einer Strecke von mindestens 50 µm auf ihren Maximalwert ansteigenden Dotierungskonzentration in der genannten n+-Schicht (21) als in (D3) nicht offenbart.

4. Aus Gleichung 12 des Dokuments (D4) läßt sich zwar folgern, daß im Falle eines abrupten pn-Übergangs die Ausdehnung (in) der Verarmungszone mindestens (gs Em/q ND) beträgt, wobei (Em) den Maximalwert der Feldstärke, (gs) die relative elektrische Permeabilität des Halbleiterkörpers, (q) die elektrische Ladung des Elektrons und (ND) die Dotierungskonzentration in der schwach ndotierten Schicht darstellt. Den auf den Seiten 847 und 849 des Dokument (D4) als Anhang enthaltenden Tabellen entnimmt man weiter, daß (q = 1,6 x 10-19), sowie daß (gs = 11,9 x go = 11,9 x 8,85 x 10-14) ist. Bei der in (D3) angegebenen, 1014 Atomen/cm3 betragenden Dotierungskonzentration der schwach n-dotierten Schicht (22) und .../...

bei dem 150 kV/cm betragenden Maximalwert der Feldstärke gemäß Anspruch 1 der vorliegenden Erfindung ergibt sich, wie die Prüfungsabteilung dargelegt hat, (in = 99 µm) rein theoretisch nur unter der Annahme, daß der beanspruchte Maximalwert der Feldstärke auch die realen Verhältnisse in dem aus (3) bekannten Tyrister charakterisiert. Die Größe der Verarmungszone ist daher kein in (3) implizit offenbartes Merkmal. Im Falle eines nicht abrupten Übergangs geht aus Figur 14 b des Dokuments (D4) hervor, daß, wie die Prüfungsabteilung zutreffend erkannt hat, dieser Wert von 99 µm um mindestens 10 % erhöht werden muß. Die gesamte theoretisch errechnete Ausdehnung der Verarmungszone würde zwar mindestens 110 µm betragen, so daß bei der unteren Grenze der schwach n-dotierten Schicht (22) des (D3) entnehmbaren asymmetrischen Thyristors von 60 µm die stark n-dotierte Schicht (21) mindestens 50 µm dick sein würde. Da jedoch der Bezugswert von mindestens 110 µm kein durch (3) implizit offenbartes Merkmal ist, gilt dies auch für den abgeleiteten Wert von mindestens 50 µm.

Ferner stimmt die Kammer mit der Beschwerdeführerin überein, daß ein asymmetrischer Thyristor, bei dem die Dicke und die Dotierungskonzentration der schwach ndotierten Schicht der n-leitenden Basiszone so bemessen sind, daß der Maximalwert der Feldstärke am pn-Übergang zwischen der besagten Schicht und der Steuerbasiszone bei höchster Vorwärtsspannung 150 kV/cm beträgt, dem Dokument (D3) nicht entnehmbar ist.

5. Da sowohl die Dicke der stark n-dotierten Schicht (21) als auch der Verlauf der Dotierung in der schwach ndotierten Schicht (22) dem Dokument (D3) nicht .../... entnehmbar sind, ist die Kammer schließlich der Auffassung, daß auch das Merkmal einer am nn--Übergang von 0,1 mal bis 0,4 mal ihren Maximalwert betragenden Feldstärke im Dokument (D3) nicht offenbart ist.

6. Somit erscheinen die im kennzeichnenden Teil des am 13. März 1992 eingegangenen Anspruchs 1 erwähnten Merkmale eines asymmetrischen Thyristors als neu gegenüber der Offenbarung im Dokument (D3). Da die Prüfungsabteilung weder in der angefochtenen Entscheidung noch in ihren vorherigen Bescheiden Argumente vorgebracht hat, die man als Begründung eines etwaigen Mangels an erfinderischer Tätigkeit des Anmeldungsgegenstandes gemäß Anspruch 1 ansehen dürfte, bleibt deshalb noch zu prüfen, ob Anspruch 1 den Anforderungen des Artikels 56 EPÜ genügt.

7. Bezüglich Ansprüche 5 und 6 hat die Prüfungsabteilung in ihrer Entscheidung u. a. die Auffassung vertreten, daß die Wahl der in diesen Ansprüchen explizit angegebenen Prozeßparameter im Rahmen normalen fachmännischen Handelns liege und somit nichts Erfinderisches begründen könne - cf. Punkt 4.2 der Entscheidungsgründe. Die besagte Wahl zielt jedoch daraufhin, daß bei Durchführung der in den Ansprüchen 5 und 6 erwähnten Verfahrensschritte ein asymmetrischer Thyristor gemäß Anspruch 1 hergestellt wird, welcher Thyristor gegenüber dem sich aus Dokument (D3) ergebenden Stand der Technik neu ist. Sollte dieser neue asymmetrische Thyristor als auf einer erfinderischen Tätigkeit beruhend angesehen und bei Durchführung der beanspruchten Verfahren tatsächlich hergestellt werden - cf. Artikel 82 EPÜ -, dann sollte aber den Ansprüchen 5 und 6 ein .../...

erfinderisches Verdienst zuerkannt werden, denn ein Verfahren, das zu einem neuen und erfinderischen Produkt führt, ist auch patentierbar wenn die Verfahrensmaßnahmen an sich zum Stand der Technik gehören. Der angefochtenen Entscheidung sowie den in der Akte befindlichen Prüfungsbescheiden entnimmt man jedoch nicht, daß die Erfüllung der obenerwähnten Voraussetzungen geprüft worden ist.

8. Nachdem die Anmeldung noch keiner abschließenden materiell-rechtlichen Sachprüfung hinsichtlich der Erfordernisse des EPÜ bezüglich erfinderischer Tätigkeit und Einheitlichkeit der Erfindung unterzogen ist, ist dem mit Schreiben vom 1. Februar 1995 gestellten Antrag der Beschwerdeführerin stattzugeben und die Anmeldung gemäß Artikel 111 (1) EPÜ zur Fortführung des Prüfungsverfahrens an die Vorinstanz zurückzuverweisen.

9. Bei dieser Sachlage sind die früheren Anträge der Beschwerdeführerin auf Erteilung des europäischen Patents bzw. Anberaumung einer mündlichen Verhandlung rechtlich gegenstandslos. .../...

Entscheidungsformel

Aus diesen Gründen wird entschieden:

1. Die Entscheidung der Prüfungsabteilung wird aufgehoben.

2. Die Sache wird an die erste Instanz mit der Auflage zurückverwiesen, das Prüfungsverfahren auf der Grundlage des am 12. März 1992 eingegangenen Anspruchs 1 sowie der ursprünglich eingereichten Ansprüche 5 und 6 hinsichtlich der erfinderischen Tätigkeit und der Einheitlichkeit der Erfindung fortzuführen.

Der Geschäftsstellenbeamte:

Der Vorsitzende:

M. Beer G. D. Paterson