{"status":"available","ecli":"ECLI:DE:BGH:2016:010316UXZR19.14.0","court":"BGH","senate":"10. Zivilsenat","decided":"2016-03-01","aktenzeichen":"X ZR 19/14","doktyp":"Urteil","leitsatz":null,"text_plain":"BUNDESGERICHTSHOF\nIM NAMEN DES VOLKES\nURTEIL\nX ZR 19/14 Verkündet am:\n1. März 2016\nAnderer\nJustizangestellte\nals Urkundsbeamtin\nder Geschäftsstelle\n\nin der Patentnichtigkeitssache\n\nECLI:DE:BGH:2016:010316UXZR19.14.0\n\nDer X. Zivilsenat des Bundesgerichtshofs hat auf die mündliche Verhandlung\nvom 1. März 2016 durch den Vorsitzenden Richter Prof. Dr. Meier-Beck, die\nRichter Gröning und Dr. Bacher sowie die Richterinnen Schuster und Dr. Kober-Dehm\n\nfür Recht erkannt:\n\nAuf die Berufung der Beklagten wird das Urteil des 4. Senats\n(Nichtigkeitssenats) des Bundespatentgerichts vom 30. Januar\n2014 abgeändert.\n\nDas europäische Patent 1 583 190 wird mit Wirkung für die Bundesrepublik Deutschland insoweit für nichtig erklärt, als sein Gegenstand über folgende Fassung der Patentansprüche hinausgeht:\n\n1. A nitride semiconductor laser device comprising, on a principal face of a nitride semiconductor substrate (101):\na nitride semiconductor layer (203) having a first conductivity type;\nan active layer (205); and\na nitride semiconductor layer (208) having a second conductivity\ntype that is different from said first conductivity type, and on the surface of which is formed a stripe ridge (209);\nwherein the said principal face of said nitride semiconductor substrate\n(101) has an off angle a (θa) in a direction substantially perpendicular to the\nM plane (1-100) and substantially parallel to said stripe ridge (209);\ncharacterized in that said principal face further has an off angle b (θb) in a\ndirection substantially parallel to the M plane (1-100) and substantially orthogonal to said stripe ridge (209), and satisfying the relationship\n│θa│ > │θb│ > 0,\nwherein said principal face of said nitride semiconductor substrate (101)\ncomprises a first region comprising the C face (0001) and a second region\nhaving at least a crystal growth face different from that of said first region,\nwherein the first region and the second region have polarities separated as\nstripes.\n\n2. The device of claim 1, wherein said nitride semiconductor layer (203) having said first conductivity type comprises a laterally grown nitride semiconductor layer comprising aluminum.\n\n3. The device of claim 1, wherein a core region (204, 205, 207) including an\nactive layer (205) is formed between said semiconductor layer (203) having\nsaid first conductivity type and said semiconductor layer (208) having said\nsecond conductivity type, and at least one of said semiconductor layer\n(203) having said first conductivity type and said semiconductor layer (208)\nhaving said second conductivity type comprises successively, a first nitride\nsemiconductor layer that is closest to an outermost layer (204, 207) of said\ncore region (204, 205, 207) and a second nitride semiconductor layer, a refraction differential existing between the outermost layer (204, 207) of said\ncore region (204, 205, 207) and said first nitride semiconductor layer, and\nbetween said first nitride semiconductor layer and said second nitride semiconductor layer.\n\n4. The device of claim 3, wherein said first nitride semiconductor layer has a\nlower refractive index than the outermost layer of said core region (204,\n205, 207).\n\n5. The device of claim 3, wherein said second nitride semiconductor layer has\na lower refractive index than said first nitride semiconductor layer.\n\n6. The device of claim 3, wherein the refractive index differential (∆n1) between the outermost layer (204, 207) of said core region (204, 205, 207)\nand said first nitride semiconductor layer and/or the refractive index differential (∆n2) between said first nitride semiconductor layer and said second\nnitride semiconductor layer is 0.004 to 0.03.\n\n7. The device of claim 3, wherein\nan n-type nitride semiconductor layer (203) comprises a first n-type nitride\nsemiconductor layer in contact with the outermost layer (204) of the core\nregion (204, 205, 207) and a number m of successive n-type nitride semiconductor layers up to an nitride semiconductor layer number m (m ≥ 2);\n\na p-type nitride semiconductor layer (208) comprises a first p-type nitride\nsemiconductor layer in contact with the outermost layer (207) of the core\nregion (204, 205, 207); and\nthe refractive index of the n-type nitride semiconductor layer number m\n(m ≥ 2) is greater than the refractive index of the first p-type nitride semiconductor layer.\n\n8. The device of claim 3, wherein the refractive index differential (∆n) between\nthe n-type nitride semiconductor layer number m (m ≥ 2) and the p-type nitride semiconductor layer is 0.004 to 0.03.\n\n9. The device of claim 3, wherein the refractive index differential (∆nm) between the n-type nitride semiconductor layer number m (m ≥ 2) and the\noutermost layer (204, 207) of said core region (204, 205, 207) is 0.007 to\n0.05.\n\nIm Übrigen wird die Klage abgewiesen.\n\nDie Kosten des Rechtsstreits werden gegeneinander aufgehoben.\n\nVon Rechts wegen\n\nTatbestand:\n\n1 Die Beklagte ist Inhaberin des mit Wirkung für die Bundesrepublik\nDeutschland erteilten europäischen Patents 1 583 190, das am 31. März 2005\nunter Inanspruchnahme zweier Prioritäten vom 2. April und 30. Juli 2004 angemeldet wurde und eine Nitrid-Halbleiterlaser-Vorrichtung betrifft.\n\n2 Die erteilte Fassung von Patentanspruch 1, auf den sich zwölf weitere\nPatentansprüche zurückbeziehen, lautet in der Verfahrenssprache:\n\nA nitride semiconductor laser device comprising, on a principal face of a nitride\nsemiconductor substrate (101):\na nitride semiconductor layer (203) having a first conductivity type;\nan active layer (205); and\na nitride semiconductor layer (208) having a second conductivity type that\nis different from said first conductivity type, and on the surface of which is\nformed a stripe ridge (209);\nwherein the said principal face of said nitride semiconductor substrate (101) has\nan off angle a (θa) in a direction substantially perpendicular to the M plane\n(1-100); characterized in that said principal face further has an off angle b (θb) in\na direction substantially parallel to the M plane (1-100), and satisfying the relationship │θa│ > │θb│ > 0.\n\n3 Die Klägerin hat geltend gemacht, der Gegenstand des Streitpatents sei\nnicht patentfähig. Die Beklagte hat das Schutzrecht mit einem Hauptantrag und\nacht Hilfsanträgen in geänderter Fassung verteidigt.\n\n4 Das Patentgericht hat das Streitpatent für nichtig erklärt. Mit ihrer Berufung verteidigt die Beklagte das Streitpatent zuletzt mit einem Hauptantrag und\nneun Hilfsanträgen in Fassungen, die inhaltlich weitgehend den Fassungen der\nerstinstanzlichen Hilfsanträge 6 bis 8 entsprechen. Die Klägerin tritt dem\nRechtsmittel entgegen.\n\nEntscheidungsgründe:\n\n5 Die zulässige Berufung hat Erfolg.\n\n6 I. Das Streitpatent betrifft einen Nitrid-Halbleiter, der als Laser eingesetzt werden kann.\n\n7 1. Nach den Ausführungen in der Streitpatentschrift wird das Ausgangsmaterial für solche Laservorrichtungen durch epitaktisches Wachstum\n(Epitaxial Lateral Overgrowth, ELO) hergestellt. Hierzu werde ein Substrat eingesetzt, auf dem sich durch Kristallwachstum eine Schicht aus Galliumnitrid\nbilde. Um die Dislokationsdichte zu reduzieren, die kristallinen Eigenschaften zu\nverbessern und den Durchmesser zu vergrößern, sei im Stand der Technik ein\nSubstrat vorgeschlagen worden, das in einer bestimmten Richtung einen Fehlwinkel (off angle) zwischen 1 Grad und 20 Grad aufweise. Wegen der Breite\ndes vorgeschlagenen Bereichs komme es jedoch zu einer ungleichmäßigen\nZusammensetzung bei Indium, Aluminium oder dergleichen und zu einer\nungleichen Verteilung von Verunreinigungen.\n\n8 Das Streitpatent betrifft das technische Problem, die genannten Nachteile möglichst zu vermeiden.\n\n9 2. Zur Lösung dieses Problems schlägt das Streitpatent in der mit dem\nzweitinstanzlichen Hauptantrag verteidigten Fassung von Patentanspruch 1\neine Nitrid-Halbleiterlaser-Vorrichtung vor, deren Merkmale sich wie folgt gliedern lassen (Gliederung des Patentgerichts in eckigen Klammern):\n\n1. Die Vorrichtung weist eine Hauptfläche aus einem Nitrid-Halbleiter-Substrat (101) auf [M1] und umfasst:\na) eine erste Nitrid-Halbleiterschicht (203) mit einem bestimmten\nLeitfähigkeitstyp [M1.1],\nb) eine aktive Schicht (205) [M1.2],\nc) eine zweite Nitrid-Halbleiter-Schicht (208) mit einem anderen\nLeitfähigkeitstyp als die erste Schicht [M1.3],\nd) einen Streifengrat (209) auf der Oberfläche der zweiten Schicht\n[M1.4].\n\n2. Die Hauptfläche des Substrats (101) weist zwei Fehlwinkel a (θa) und\nb (θb) auf, und zwar\na) θa in einer Richtung,\n(1) die im Wesentlichen senkrecht zur M-Ebene (1-100) [M2]\n(2) und parallel zum Streifengrat (209) [M2a] verläuft,\nb) θb in einer Richtung,\n(1) die im Wesentlichen parallel zur M-Ebene (1-100) [M3]\n(2) und senkrecht zum Streifengrat (209) [M3a] verläuft.\nc) Der Betrag beider Fehlwinkel ist größer als 0 und der Betrag von\nθa ist größer als der Betrag von θb [M4].\n\n3. Die Hauptfläche des Nitrid-Halbleiterlaser-Substrats (101) umfasst\na) eine erste Region [M6'], welche die C-Fläche (0001) umfasst\n[M6a],\nb) eine zweite Region [M6'] mit mindestens einer Kristallwachstumsfläche [M6c], die von jener der ersten Region verschieden\nist [M6d'].\nc) Die erste Region und die zweite Region weisen als Streifen getrennte Polaritäten auf [M7'].\n\n10 3. Einige Merkmale bedürfen näherer Erläuterung.\n\n11 a) Halbleiterlaser sind elektronische Bauteile, die - ähnlich wie eine\nLeuchtdiode - Licht emittieren, wenn Strom durch das Bauteil fließt. Beim Halbleiterlaser geschieht dies in Form eines Laserstrahls.\n\n12 Der typische Aufbau besteht aus einer Schicht mit Elektronenüberschuss\n(n-Schicht), einer Schicht mit Elektronenmangel (p-Schicht) und einer dazwischen angeordneten aktiven Schicht, in der das Licht erzeugt wird. Entsprechend dazu sieht das Streitpatent in den Merkmalen 1a, 1c und 1b eine erste\nHalbleiterschicht (203), eine zweite Halbleiterschicht (208) und eine dazwischen\nangeordnete aktive Schicht (205) vor. Nach der Beschreibung können weitere\nSchichten vorhanden sein, zum Beispiel mehrere n-Schichten (Abs. 86). Nach\nMerkmal 1d ist auf der Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht (208) ferner ein\nStreifengrat (209) angeordnet. Dieser dient der Führung und Bündelung des\nLichts.\n\n13 Ein Beispiel für einen solchen Aufbau ist in Figur 2a der Streitpatentschrift dargestellt:\n\n14 b) Als Material für den Laser sieht das Streitpatent in Merkmal 1 einen\nNitrid-Halbleiter vor. In den Ausführungsbeispielen wird Galliumnitrid eingesetzt.\nZur Herstellung wird auf einem Substrat durch epitaktisches Wachstum eine\nKristallstruktur gezüchtet.\n\n15 Das Ausgangssubstrat kann ebenfalls aus Galliumnitrid bestehen oder\naus einem anderen Stoff. Im zuerst genannten Fall wird das Wachstum der\nKristallstruktur als homoepitaktisch bezeichnet, im zweiten Fall als heteroepitaktisch. Patentanspruch 1 enthält insoweit keine Festlegung.\n\n16 In der Beschreibung wird ein Herstellungsvorgang geschildert, bei dem\nauf einem Heterosubstrat aus Saphir zunächst ein Galliumnitrid-Substrat aufgebracht wird. In dem geschilderten Beispiel wird das Heterosubstrat vor Beginn\nder weiteren Herstellungsschritte entfernt. Ergänzend wird ausgeführt, es könne\nalternativ erst zu einem späteren Stadium entfernt oder dauerhaft belassen\nwerden (Abs. 33).\n\n17 c) Galliumnitrid-Kristalle weisen eine Grundstruktur auf, die einem geraden Prisma mit einem gleichseitigen Sechseck als Grundfläche entspricht.\nNach der kristallographischen Nomenklatur werden die Grund- und die Deckfläche dieses Prismas als C-Ebenen bezeichnet, die Seitenflächen als M-Ebenen.\nJeder einzelnen Fläche wird ferner eine aus den Zeichen 0, 1, und -1 (oder ̅1)\nzusammengesetzte und von runden Klammern umschlossene Bezeichnung\nzugeordnet. Die obere C-Ebene hat etwa die Bezeichnung (0001), die M-Ebene, die bei einer grundrissartigen Darstellung oben verläuft, die Bezeichnung (1-100). Dieselbe Zeichenkombination - von eckigen Klammern umschlossen - wird der Richtung zugeordnet, die senkrecht zur jeweiligen Fläche\nnach außen verläuft.\n\n18 d) Die Kristalle werden auf Scheiben (Wafern) hergestellt, deren\nDurchmesser nach der Beschreibung des Streitpatents (Abs. 42) vorzugsweise\nmindestens 1 Zoll und noch besser mindestens 2 Zoll beträgt. Die einzelnen\nChips weisen nach der Beschreibung des Streitpatents (Abs. 77) vorzugsweise\neine rechteckige Form mit einer Kantenlänge von rund 500 µm auf. Aus einem\nWafer können mehrere Zehntausend solcher Chips hergestellt werden.\n\n19 aa) Zur Beeinflussung des Kristallwachstums und der Materialeigenschaften können die Wafer so ausgestaltet werden, dass ihre Oberfläche nicht\nparallel zu einer der Oberflächen der kristallinen Grundstruktur verläuft. Nach\nder Beschreibung des Streitpatents kann dies dadurch geschehen, dass das in\neinem ersten Schritt hergestellte Substrat durch Ätzen in eine geeignete Form\ngebracht wird (Abs. 47). Als alternative Möglichkeiten werden andere Oberflächenbehandlungen wie Schleifen oder Schneiden sowie der Einsatz eines in\nentsprechender Weise ausgebildeten Heterosubstrats angeführt (Abs. 48).\n\n20 Die Ausbildung von solchen Fehlwinkeln führt dazu, dass die Oberfläche\ndes Substrats terrassenförmig ausgestaltet ist, wie dies etwa in der folgenden,\ndem von der Beklagten eingereichten Privatgutachten von Prof. Dr.\nS. (BR10) entnommenen Zeichnung schematisch dargestellt wird:\n\n21 Beim Wachstum der weiteren Kristallstrukturen auf einem solchen Substrat entstehen auf den einzelnen Terrassenstufen Schichten, die sich seitlich\naneinanderfügen.\n\n22 bb) Das Maß der Abweichung kann angegeben werden durch eine Kombination aus einem Kippwinkel (φ) und einem Richtungswinkel (γ) oder durch\neine Kombination aus zwei Fehlwinkeln (θa, θb), die sich auf zwei senkrecht zueinander stehende Achsen beziehen.\n\n23 Das Streitpatent verwendet die zweite, auf kartesischen Koordinaten beruhende Terminologie und gibt in den Merkmalsgruppen 2a und 2b zwei Fehlwinkel (θa, θb) vor, von denen sich der erste auf eine Richtung senkrecht zur\nEbene (1-100) - also auf die Richtung [1-100] - bezieht und der zweite auf die\nRichtung parallel zu dieser Ebene. In Merkmal 2c ist festgelegt, dass die Hauptfläche des Substrats um beide Achsen gekippt und der Fehlwinkel θa größer\nsein muss als der Fehlwinkel θb. In der anderen, auf Kugelkoordinaten beruhenden Terminologie kann diese Anforderung dahin formuliert werden, dass der\nBetrag des Kippwinkels φ oberhalb von 0 Grad und der Betrag des Richtungswinkels γ - bezogen auf die Richtung [1-100] und die Richtung des Streifengrats - zwischen 0 und 45 Grad liegen muss.\n\n24 Die erteilte Fassung von Patentanspruch 2 und die Fassungen, die Patentanspruch 1 nach den zweitinstanzlichen Hilfsanträgen 1, 3, 4, 6, 8 und 9\nerhalten soll, sehen ergänzend vor, dass der Betrag des Fehlwinkels θ a zwi-\n\nschen 0,1 und 0,7 Grad liegt. Nach der alternativen Terminologie bedeutet dies,\ndass der Betrag des Kippwinkels φ zwischen 0 und 0,99 Grad liegt.\n\n25 e) Durch die Merkmale 2a(2) und 2b(2) ist darüber hinaus die Richtung\ndes Streifengrats (209) festgelegt. Dieser verläuft im Wesentlichen senkrecht\nzur Ebene (1-100), also in der Richtung [1-100].\n\n26 In der Beschreibung wird dies dahin erläutert, die Hauptfläche des Substrats sei in einer Richtung A geneigt, die im Wesentlichen parallel zu dem Grat\nverlaufe (Abs. 19 f. mit Figuren 3 und 4). Dies steht nicht vollständig in Einklang\nmit dem Wortlaut von Patentanspruch 1, weil die Richtung A um den Winkel θa\nvon der Richtung [1-100] abweicht. Dem ist zu entnehmen, dass eine Neigung\ndes Grats entsprechend dem Winkel θa mit den Merkmalen 2a(2) und 2b(2) in\nEinklang steht, dass aber eine Drehung des Grats um eine im Verhältnis zu\nseiner Längenerstreckung vertikale Achse grundsätzlich ausgeschlossen ist.\n\n27 f) Das Streitpatent sieht in Merkmalsgruppe 3 ergänzend vor, dass die\nHauptfläche des Substrats in streifenförmige Regionen aufgeteilt ist, die unterschiedliche Kristallwachstumsflächen mit unterschiedlicher Polarität aufweisen.\n\n28 Letzteres kann dadurch erreicht werden, dass in der einen Region überwiegend Gallium-Atome an der Oberfläche liegen und in der anderen Region\nüberwiegend Stickstoff-Atome. Die unterschiedliche Polarität führt zu unter-\n\nschiedlichen Wachstumsgeschwindigkeiten. Hierdurch bilden sich nach dem\nVortrag der Beklagten abwechselnd Zonen mit eher geringer und mit eher hoher Dislokationsdichte, d.h. mit einem verhältnismäßig geringen bzw. einem\nverhältnismäßig hohen Anteil an Fehlern in der Kristallstruktur. Nach der Beschreibung des Streitpatents (Abs. 37) ist es vorteilhaft, die Streifen mit geringer\nDislokationsdichte deutlich breiter auszugestalten als die Streifen mit hoher\nDislokationsdichte.\n\n29 In welcher Richtung die Streifen verlaufen, ist weder in den Patentansprüchen noch in der Beschreibung näher festgelegt. Der Fachmann muss\nhierzu auf sein Fachwissen zurückgreifen. Hinweise dazu kann er den Entgegenhaltungen D7, D3 und D18 entnehmen, auf die im Zusammenhang mit der\nerfinderischen Tätigkeit noch näher einzugehen sein wird.\n\n30 II. Das Patentgericht hat seine Entscheidung, soweit für das Berufungsverfahren noch von Interesse, im Wesentlichen wie folgt begründet:\n\n31 Der Gegenstand des Streitpatents sei dem Fachmann, einem Team aus\nPhysikern, Chemikern und Materialwissenschaftlern mit Universitäts- oder\nHochschulabschluss und umfangreicher Erfahrung auf den Gebieten der Kristallzüchtung und der Halbleitersubstrate, durch den Stand der Technik nahegelegt.\n\n32 Im Prioritätszeitpunkt seien dem Fachmann sowohl das heteroepitaktische als auch das homoepitaktische Wachstum zur Herstellung von Nitrid-Halbleiterlaser-Bauelementen geläufig gewesen. Er habe sich je nach Bedarf\nfür die eine oder die andere Methode entschieden.\n\n33 In der japanischen Offenlegungsschrift 2001-160539 (D7) sei eine Vorrichtung offenbart, bei der ein Galliumnitrid-Substrat auf ein Saphir-Substrat\naufgebracht werde. Der Aufbau entspreche demjenigen aus Beispiel 1 des\n\nStreitpatents. Die Hauptfläche weise zwei Fehlwinkel auf, deren Betrag den\nVorgaben des Streitpatents entspreche und die auch die in Merkmal M4 angegebene Relation erfüllten. In D7 werde zwar darauf hingewiesen, dass zur Verbesserung des Kristallwachstums große Fehlwinkel vorteilhaft seien. Dem\nFachmann sei aber bekannt gewesen, dass große Fehlwinkel die optischen\nEigenschaften nachteilig beeinflussen könnten.\n\n34 Wie sich exemplarisch aus der veröffentlichten US-Patentanmeldung\n2003/0001238 (D2) sowie den japanischen Offenlegungsschriften 2003-133649\n(D3), 2003-204122 (D4) und 2001-144378 (D5) ergebe, habe der Fachmann\nferner gewusst, dass ein Streifengrat senkrecht zur Richtung der M-Ebene besonders vorteilhaft sei, weil die M-Richtung als Spaltebene eingesetzt werden\nkönne und eine exakte Herstellung ermögliche.\n\n35 In D3 sei des Weiteren offenbart, dass die Hauptfläche des Halbleitersubstrats eine Region mit geringer und eine Region mit großer Dislokationsdichte aufweise, die als Streifen mit abwechselnden Polaritäten gebildet\nseien. Der versetzungskonzentrierte Bereich weise auch eine Kristallwachstumsfläche auf. Der Fachmann habe Anlass gehabt, solche Streifensubstrate\nauch in einer Vorrichtung nach der D7 einzusetzen, um die kristallinen Eigenschaften zu verbessern. In der Hinzufügung der Merkmale M6 und M7 könne\nohnehin nur eine bloße Aggregation gesehen werden.\n\n36 III. Diese Beurteilung hält der Überprüfung im Berufungsverfahren in\neinem entscheidenden Punkt nicht stand.\n\n37 1. Ohne Erfolg bleiben die Einwendungen der Klägerin gegen die Zulässigkeit der mit dem zweitinstanzlichen Hauptantrag verteidigten Fassung von\nPatentanspruch 1.\n\n38 a) Aus den in den ursprünglich eingereichten Unterlagen formulierten\nAnsprüchen lässt sich die nunmehr beanspruchte Merkmalskombination allerdings nicht unmittelbar und eindeutig entnehmen.\n\n39 In Anspruch 1 und den darauf rückbezogenen Ansprüchen 2 und 9 der\nAnmeldung sind zwar Vorrichtungen vorgesehen, die zwei Fehlwinkel θa und θb\naufweisen, von denen der erste (θa) im Wesentlichen parallel zum Streifengrat\nverläuft und größer ist als der zweite (θb). Dort ist aber nicht festgelegt, dass θa\nim Wesentlichen senkrecht zur Ebene (1-100) verläuft und dass die Vorrichtung\nzusätzlich eine Streifenstruktur entsprechend der Merkmalsgruppe 3 aufweist.\nDie zuletzt genannten Merkmale sind zwar in Anspruch 18 und den darauf zurückbezogenen Ansprüchen 20 und 21 der Anmeldung vorgesehen. Diese Ansprüche verhalten sich aber nicht ausdrücklich zur Richtung des Streifengrats\nund nehmen auch nicht auf die Ansprüche 1 bis 17 Bezug.\n\n40 b) Aus der Beschreibung der Anmeldung ergibt sich jedoch hinreichend\ndeutlich, dass eine Kombination aller genannten Merkmale zur Erfindung gehört.\n\n41 In den einleitenden Passagen der Beschreibung werden die in den Ansprüchen 1 und 18 beanspruchten Vorrichtungen zwar ebenfalls nacheinander\nund ohne ausdrückliche Verknüpfung als mögliche Ausführungsformen der Erfindung aufgezeigt (Abs. 10 f.). Schon in diesem Zusammenhang wird aber\nausgeführt, dass solche Vorrichtungen zusätzliche Merkmale aufweisen können, zu denen Regionen mit zwei unterschiedlichen Kristallwachstumsflächen\nund unterschiedlicher Polarität gehören können (Abs. 12). In der anschließenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele wird ferner ausgeführt,\nder Fehlwinkel verlaufe im Wesentlichen parallel zum Streifengrat und zur Richtung [1-100] (Abs. 22). Im Zusammenhang mit diesem Ausführungsbeispiel wird\ndie Ausbildung streifenförmiger Regionen mit unterschiedlicher Versetzungsdichte beschrieben (Abs. 37 - 43). Daraus ergibt sich unmittelbar und eindeutig,\n\ndass Vorrichtungen zur Erfindung gehören, bei denen alle diese Merkmale in\nKombination verwirklicht sind.\n\n42 c) Entgegen der Auffassung der Klägerin ist in den ursprünglich eingereichten Unterlagen auch das Merkmal, wonach sowohl der Betrag von θa als\nauch der Betrag von θb größer sind als 0, als zur Erfindung gehörend offenbart.\n\n43 In der Anmeldung ist zwar nur die Anforderung formuliert, der Betrag von\nθa müsse größer sein als der Betrag von θb. Aus diesen Ausführungen ergibt\nsich aber implizit, dass hierbei der Betrag von θb größer sein muss als 0. Sowohl in den Ansprüchen 1 und 2 als auch in der Beschreibung (Abs. 9 und 10)\nwird unterschieden zwischen Vorrichtungen, die lediglich einen Fehlwinkel θa\naufweisen, und Vorrichtungen, bei denen zusätzlich ein Fehlwinkel θb vorhanden ist. Diese Unterscheidung ist nur dann sinnvoll, wenn der Betrag von θb\ngrößer ist als 0.\n\n44 2. Zu Recht hat das Patentgericht den Gegenstand des Streitpatents\nals neu angesehen. Dies wird, soweit es um die mit der Berufung noch verteidigten Fassungen geht, auch von der Klägerin nicht in Zweifel gezogen.\n\n45 3. Entgegen der Auffassung des Patentgerichts beruht der Gegenstand\nvon Patentanspruch 1 in der mit dem zweitinstanzlichen Hauptantrag (und dem\nerstinstanzlichen Hilfsantrag 7) verteidigten Fassung auf erfinderischer Tätigkeit. Er war dem Fachmann, dessen Definition die Parteien nicht in Zweifel ziehen, insbesondere nicht durch die Entgegenhaltungen D7, D3 und D18 nahegelegt.\n\n46 a) In der japanischen Offenlegungsschrift 2001-160539 (D7, Sanyo)\nsind allerdings, wie auch die Berufung nicht in Zweifel zieht, die Merkmalsgruppe 1 und die Merkmalsgruppe 2 mit Ausnahme der Merkmale 2a(2) und 2b(2)\noffenbart.\n\n47 aa) In D7 werden mehrere Verfahren zur Herstellung von Galliumnitrid-Halbleiterlasern offenbart.\n\n48 In der Beschreibung wird ausgeführt, um Schwierigkeiten bei der Herstellung zu überwinden, würden Galliumnitrid-Substrate durch epitaktisches\nWachstum auf einem Substrat aus Saphir, Siliziumcarbid oder Silizium hergestellt. Wegen der unterschiedlichen Gitterkonstanten entstünden dabei Gitterdefekte, die sich vom Substrat aus nach oben und unten erstreckten und eine\nVersetzungsdichte von etwa 109 cmaufwiesen. Die Versetzungen könnten\ndurch das epitaktische laterale Überwachsen (ELO) verringert werden. Hierbei\nwürden auf einer ersten Schicht aus Galliumnitrid mehrere streifenförmige\nSchichten aus Siliziumdioxid ausgebildet. Anschließend werde eine weitere\nSchicht aus Galliumnitrid aufgebracht. Diese wachse zunächst in den Lücken\nzwischen den Siliziumdioxid-Streifen nach oben und anschließend auch in seitlicher Richtung. Hierdurch würden die Versetzungen in senkrechter Richtung\n(c-Richtung) reduziert. Der Einsatz der Siliziumdioxid-Streifen führe allerdings\nzu Bruchstellen in der zweiten Galliumnitrid-Schicht, weil die Wärmeausdehnungskoeffizienten unterschiedlich seien und weil oberhalb der Siliziumdioxid-Streifen Hohlräume entstehen könnten.\n\n49 Um die kristallinen Eigenschaften weiter zu verbessern und Bruchstellen\nzu vermeiden, werden in D7 drei Verfahren vorgeschlagen, bei denen jedenfalls\ndie oberste Galliumnitrid-Schicht ohne Einsatz von Siliziumdioxid-Streifen ausgebildet wird.\n\n50 Bei einer als Erfindung Nr. 1 bezeichneten Ausführungsform (D7c\nAbs. 20 ff.; Abs. 78 ff.) wird hierzu eine Schicht (4) aus Galliumnitrid in einem\nbestimmten Winkel angeschliffen, so dass eine in bestimmter Richtung und in\nfestgelegtem Winkel B geneigte Fläche entsteht, die in D7 auch als Fehlfläche\nbezeichnet wird. Diese Fläche weist eine stufenförmige Struktur auf (D7c Figuren 1 b und 1 c).\n\n51 Hierdurch wird ein laterales Wachstum der darauf aufgebrachten zweiten\nSchicht aus Galliumnitrid ermöglicht. Damit werden Versetzungen, die sich in\nc-Richtung ausbreiten, reduziert und das Entstehen von Bruchstellen vermieden. Als mögliche Werte für den Fehlwinkel werden 0,05, 0,1, 0,2, 0,5, 1, 2 und\n5 Grad angegeben. In diesem Zusammenhang wird ausgeführt, die Kristallinität\nnehme zu, je größer der Fehlwinkel sei (D7c Abs. 89). Als mögliche Werte für\ndie Fehlrichtung werden die Richtung [1-100] und drei jeweils um 10 Grad hiervon abweichende Richtungen genannt. Hierzu wird ausgeführt, die Kristallinität\nnehme ab, je näher die Fehlrichtung an der Richtung [1-100] sei (D7c Abs. 91).\n\n52 Als weiteres Ausführungsbeispiel wird ein Verfahren geschildert, bei dem\nauf eine erste Schicht (3) aus Galliumnitrid eine relativ geringe Anzahl von Siliziumdioxid-Streifen (15) aufgebracht und sodann in der aus dem Stand der\nTechnik bekannten Weise eine weitere Galliumnitrid-Schicht (4) ausgebildet\nwird. Auf dieser zweiten Schicht wird eine Fehlfläche ausgebildet und eine dritte\nGalliumnitrid-Schicht (5) aufgebracht, deren Kristallinität als noch besser eingeschätzt wird (D7c Abs. 108 mit Figuren 3 c und 3 d).\n\n53 Zur weiteren Steigerung der Kristallinität wird vorgeschlagen, das Galliumnitrid-Fehlsubstrat nicht durch selektives Wachstum herzustellen, sondern\ndurch Abschleifen eines Bulk-Galliumnitrid-Substrats mit wenig Versetzungen\n(D7c Abs. 114). Außerdem wird es als selbstverständlich möglich bezeichnet,\ndas Saphir-Substrat vor der Ausbildung des Nitrid-Halbleiters zu entfernen (D7\nAbs. 115).\n\n54 Bei einer als Erfindung Nr. 2 bezeichneten Ausführungsform (D7c\nAbs. 26 ff.; Abs. 116 ff.) werden auf dem Saphir-Substrat streifenförmige Vertiefungen erzeugt. Hinsichtlich der Richtung dieser Streifen wird ausgeführt, diese\nsei nicht in besonderer Weise eingeschränkt; im geschilderten Beispiel verlaufe\nsie in [1-100]-Richtung, sie könne aber zum Beispiel auch in [11-20]-Richtung\nverlaufen (D7c Abs. 120). Auf dieses Substrat wird eine Galliumnitrid-Schicht\n(13) aufgebracht, die aufgrund der Streifen zunächst in vertikaler und danach\nauch in lateraler Richtung wächst (D7c Abs. 121 mit Figuren 5 c bis 5 e).\n\n55 Als Vorteil dieses Verfahrens wird angeführt, mit ihm könne schon durch\neinmaliges Aufwachsen eine Galliumnitrid-Schicht mit weniger Versetzungen\nerlangt werden (D7c Abs. 127). Allerdings bildeten sich in der Mitte über den\nVertiefungen auf dem Saphir-Substrat Regionen mit einer vergleichsweise\nhohen Versetzungsdichte. Deshalb wird es als vorzugswürdig angesehen, die\nHalbleiter-Bauelemente zwar im Bereich der Vertiefungen, aber außerhalb von\nderen Mitte auszubilden (D7c Abs. 130).\n\n56 Als abgewandelte Ausführungsformen werden unter anderem der Einsatz anderer Materialien für das Substrat und die Ausbildung von Vertiefungen\n\nin einem wabenförmigen Muster vorgeschlagen. Als weitere Abwandlung wird\nvorgeschlagen, auf dem Saphir-Substrat eine Fehlfläche mit treppenförmigen\nAbstufungen auszubilden und darauf zunächst eine Pufferschicht und danach\neine Galliumnitrid-Schicht aufzubringen.\n\n57 Bei einer als Erfindung Nr. 3 bezeichneten Ausführungsform (D7c\nAbs. 39 ff.; Abs. 168 ff.) wird auf dem Saphir-Substrat zunächst eine Pufferschicht aus Aluminiumgalliumnitrid aufgebracht und durch anschließendes Ätzen in eine streifenförmige Struktur gebracht. Darauf wird eine Schicht (53) aus\nGalliumnitrid ausgebildet. Dabei bilden sich aufgrund der unterschiedlichen Gitterkonstanten zunächst einzelne Streifen im Bereich der Pufferschicht, die im\nweiteren Verlauf lateral zusammenwachsen (D7c Abs. 173 mit Figuren 9 c\nbis e).\n\n58 Auch für diese Ausführungsform wird es als vorzugswürdig bezeichnet,\ndas Halbleiter-Bauelement zwar im Bereich der freiliegenden Region des Saphir-Substrats, aber außerhalb von deren Zentrum auszubilden (D7c Abs. 180).\n\n59 Als Erfindungen Nr. 4 bis 6 werden Verfahren geschildert, mit denen auf\nden entsprechend den Erfindungen Nr. 1 bis 3 hergestellten Strukturen die weiteren Schichten für den Halbleiterlaser aufgebracht werden. In Zusammenhang\nmit der Erfindung Nr. 4 wird hierbei ausgeführt, der Gratabschnitt der Deckschicht (110) breite sich vorzugsweise senkrecht zur Fehlrichtung der ersten\nGalliumnitrid-Schicht aus (D7c Abs. 196 mit Figur 11).\n\n60 bb) Damit ist eine Vorrichtung offenbart, deren Schichtaufbau der Merkmalsgruppe 1 entspricht und bei der die in Merkmalsgruppe 2 definierten Anforderungen an die beiden Fehlwinkel im Verhältnis zur Ebene [1-100] eingehalten\nsind, weil alle in D7 genannten Werte für den Kippwinkel φ größer als 0 Grad\nund alle genannten Werte für den Richtungswinkels γ kleiner als 45 Grad sind.\n\n61 cc) Nicht offenbart ist demgegenüber die Ausrichtung des Streifengrats\nsenkrecht zur M-Ebene (1-100), also parallel zur Richtung [1-100].\n\n62 Wie bereits oben aufgezeigt wurde, wird in D7 eine Ausrichtung parallel\nzur Ebene (1-100) als vorzugswürdig bezeichnet. Diesen Ausführungen lässt\nsich zwar nicht entnehmen, dass eine abweichende Anordnung ausscheidet.\nSie geben aber keinen unmittelbaren und eindeutigen Hinweis darauf, wie eine\nder in D7 offenbarten Lehre entsprechende Vorrichtung ausgestaltet werden\nkönnte, bei der der Streifengrat um 90 Grad gedreht angeordnet ist.\n\n63 dd) Ebenfalls nicht offenbart ist die Kombination mit der Merkmalsgruppe 3.\n\n64 In D7 wird als Erfindung Nr. 2 zwar eine Vorrichtung beschrieben, die ein\nstreifenförmiges Muster aus Zonen mit geringer und hoher Versetzungsdichte\naufweist. Nicht offenbart ist aber eine Ausführungsform, bei der diese Ausgestaltung mit der als Erfindung Nr. 1 offenbarten Ausgestaltung einer terrassenförmigen Fehlfläche kombiniert ist. In einem abgewandelten Beispiel der Erfindung Nr. 2 wird das streifenförmige Muster zwar auf ein mit einer Fehlfläche\nversehenes Grundsubstrat aus Graphit aufgebracht. Daraus lässt sich aber\nnicht entnehmen, dass auch das darauf ausgebildete Substrat aus Galliumnitrid\neine solche Fehlfläche aufweist, wie dies nach der Erfindung Nr. 1 und nach\ndem Streitpatent vorgesehen ist.\n\n65 Darüber hinaus finden sich in D7 keine Hinweise auf unterschiedliche\nPolaritäten und Wachstumsflächen.\n\n66 b) Für den Fachmann ergaben sich allerdings schon aus D7 gewisse\nHinweise darauf, dass eine Fehlfläche gemäß Erfindung Nr. 1 mit einer Streifenstruktur gemäß Erfindung Nr. 2 kombiniert werden kann.\n\n67 Entgegen der Auffassung der Berufung stehen die einzelnen Ausführungsformen in D7 - trotz ihrer Bezeichnung als \"Erfindungen\" - nicht isoliert\nnebeneinander. D7 enthält im Zusammenhang mit den Erfindungen Nr. 1 und 2\nvielmehr konkrete Hinweise auf die Kombination der dort jeweils im Mittelpunkt\nstehenden Verfahrensweise mit anderen Methoden. So wird wie bereits erwähnt vorgeschlagen, die Streifenstruktur gemäß Erfindung Nr. 2 auf ein Saphir-Substrat aufzubringen, das eine Fehlfläche aufweist. Als ergänzende Maßnahme zu der Ausbildung einer Fehlfläche auf einem Galliumnitrid-Substrat\ngemäß Erfindung Nr. 1 wird vorgeschlagen, zunächst mit Hilfe von Siliziumdioxid-Streifen eine erste Galliumnitrid-Schicht herzustellen, wie sie im Stand der\nTechnik grundsätzlich bekannt war, und erst auf dieser eine Fehlfläche als\nGrundlage für die nächste Galliumnitrid-Schicht auszubilden.\n\n68 Aus diesen Hinweisen ergaben sich für den Fachmann Anhaltspunkte für\ndie Suche nach weiteren Kombinationsmöglichkeiten, um die Eigenschaften der\nVorrichtung weiter zu verbessern. Im Hinblick auf die in D7 offenbarte Kombination einer Streifenstruktur mit einem geneigten Saphir-Substrat kam hierbei insbesondere in Betracht, eine Streifenstruktur mit dem bei Erfindung Nr. 1 eingesetzten geneigten Galliumnitrid-Substrat zu kombinieren.\n\n69 Entgegen der Auffassung der Berufung stand solchen Überlegungen\nnicht zwingend der Umstand entgegen, dass die streifenförmige Struktur bei\nErfindung Nr. 2 zu einer anisotropen Kristallanordnung führt. In D7 wird aufgezeigt, dass die Streifen mit hoher Versetzungsdichte hingenommen werden\nkönnen, sofern die einzelnen Bauelemente in geeigneter Weise auf dem Wafer\nangeordnet werden. Daraus ergab sich für den Fachmann, dass es nicht zwingend erforderlich ist, über die gesamte Fläche hinweg eine einheitliche Kristallstruktur zu erzeugen, sondern dass es ausreicht, wenn die Bereiche mit möglichst niedriger Versetzungsdichte so groß sind, dass dort mindestens jeweils\nein Bauelement Platz findet, ohne dass dessen Funktion durch die Bereiche mit\nhoher Versetzungsdichte in nennenswertem Umfang beeinträchtigt wird.\n\n70 c) Vor diesem Hintergrund hatte der Fachmann Anlass, nach weiteren\nMethoden zur Verbesserung der Produkteigenschaften zu suchen. Diese ergaben sich aus der japanischen Offenlegungsschrift 2003-133649 (D3, Sharp) und\nder internationalen Patentanmeldung WO 03/38957 (D18, Sharp und Sumitomo).\n\n71 aa) In D3 wird ebenfalls ein Verfahren zur Herstellung von Nitrid-Halbleiterlaser-Bauelementen offenbart.\n\n72 In der Beschreibung wird ähnlich wie in D7 das epitaktische laterale\nÜberwachsen (ELO) als Stand der Technik dargestellt. Als nachteilig wird herausgestellt, dass drei unterschiedliche Verfahrensschritte mit Kristallwachstum\n\nerforderlich seien, dass die Lebensdauer insbesondere bei höheren Temperaturen und Leistungen unzureichend sei und dass es wegen Bruchstellen zu einer\nverschlechterten Ausbeute komme. Als Grund für diese Probleme werden Kristallgitterdefekte benannt, deren Dichte mit 5∙107 cmangegeben wird.\n\n73 Zur Überwindung dieser Probleme wird in D3 vorgeschlagen, Substrat\naus Galliumnitrid einzusetzen, das in streifenförmige Bereiche eingeteilt ist, die\nabwechselnd eine hohe und eine niedrige Versetzungsdichte aufweisen. Hierzu\nwird auf einer Grundplatte, die bevorzugt aus Galliumarsenid besteht, eine streifenförmige Struktur aus Siliziumdioxid als so genannte Wachstumsmaske aufgebracht und anschließend eine 30 mm hohe Galliumnitrid-Schicht ausgebildet,\ndie in Scheiben mit einem Durchmesser von zwei Zoll und einer Dicke von\n350 µm geschnitten wird. Um dieses Substrat in einen nutzbaren Zustand zu\nbringen, wird es durch Polieren und Schleifen geebnet (D3b Abs. 36). Hierbei\nwird es als günstig angesehen, im Verhältnis zur (0001)-Fläche einen Fehlwinkel von 0,4 bis 0,8 Grad vorzusehen (D3b Abs. 37).\n\n74 Die so hergestellten Scheiben weisen in den Bereichen (24), die oberhalb der Siliziumdioxid-Schichten gewachsen sind, eine hohe und in den Bereichen dazwischen eine niedrige Versetzungsdichte auf (D3b Abs. 40 mit Figuren 1 b und 1 d).\n\n75 Die Bereiche (25), in denen die einzelnen (001)-Ebenen aufeinander gewachsen sind, zeichnen sich durch besonders helle Lichtemission aus (D3\nAbs. 43).\n\n76 Als Ergebnis von Untersuchungen wird berichtet, die Bereiche mit hoher\nVersetzungsdichte hätten mitunter ihre Polarität umgekehrt, weil in diesem Bereich Stickstoff freiliege, während in den anderen Bereichen Gallium freiliege\n(D3b Abs. 41).\n\n77 Auf das so hergestellte Substrat wird eine Wachstumskontrollmembran\naus Siliziumdioxid aufgebracht. Bei einem ersten Ausführungsbeispiel sind die\nBereiche mit hoher Versetzungsdichte jeweils vollständig durch eine solche\nMembran überdeckt (D3b Abs. 50). Bei einem zweiten Ausführungsbeispiel sind\nin diesen Bereichen jeweils drei solcher Membranen mit Abstand zueinander\nangeordnet, so dass es nicht zu einer vollständigen Abdeckung kommt (D3b\nAbs. 88 mit Figur 6 a).\n\n78 Auf das mit den Membranen versehene Substrat werden nacheinander\ndie für den Halbleiterlaser benötigten Schichten aufgebracht. Die so entstandenen Wafer weisen lediglich im Bereich der Membranen Bruchstellen auf (D3b\nAbs. 69). An der Oberseite der Wafer werden in der Schicht (109) streifenförmige Erhebungen (Streifengrate) zum Einschließen des Lichts in senkrechter\nRichtung zum Substrat angebracht (D3b Abs. 72 mit Figur 2).\n\n79 Nach Aufbringen aller Elemente wird der Wafer senkrecht zur Richtung\nder Streifengrate in Barren aufgeteilt, in denen die einzelnen Bauelemente seitlich angeordnet sind (D3b Abs. 77). Zwischen diesen Bauteilen liegen die\nBruchstellen, deren Breite und Form von der Dicke der Wachstumskontrollmembran abhängt (D3b Abs. 79 mit Figuren 3 bis 5).\n\n80 bb) In der Anmeldung D18, die die Priorität der Anmeldung D7 beansprucht, sind acht Abwandlungen einer weiteren Ausführungsform offenbart, bei\ndenen keine Wachstumskontrollmembran (in D18a als wachstumshemmende\nSchicht bezeichnet) zum Einsatz kommt. Um negative Auswirkungen der Bereiche mit hoher Versetzungsdichte auf die Laserwellenleiterbereiche zu vermei-\n\nden, werden die genannten Komponenten relativ zueinander in bestimmten Positionen angeordnet (D18a S. 24 unten).\n\n81 Bei der ersten dieser zusätzlichen Ausführungsformen (in D18a als dritte\nAusführungsform bezeichnet) werden hierzu Festlegungen für den Abstand d\ngetroffen, den der Laserwellenleiterbereich (14) von dem eine hohe Versetzungsdichte aufweisenden Bereich (11) aufweisen soll (D18a S. 25 mit Figur 7).\n\n82 In dem Ausführungsbeispiel, bei dem der Abstand zwischen zwei Bereichen (11) 400 µm beträgt und jeweils in der Mitte ein Bereich (25) mit hoher\nLumineszenz angeordnet ist (D18a S. 25), wird für den Abstand d ein Mindestmaß von 40 µm, vorzugsweise von 60 µm angegeben (D18a S. 29). Für den\nAbstand P zwischen zwei Bereichen (11) werden ein Mindestwert von 300 µm\nund ein Höchstwert von 1000 µm genannt (D18a S. 30). In drei weiteren Beispielen (vierte, fünfte und sechste Ausführungsform) wird der Abstand P abgewandelt. Bei der vierten Ausführungsform (D18a Figur 11) ist P so festgelegt,\ndass jeweils zwei Bauelemente darin Platz finden, bei der fünften Ausführungsform (D18a Figur 12) sind es vier Bauelemente. Bei der sechsten Ausführungs-\n\nform (D18a Figur 13) ist P demgegenüber kleiner als die Breite des Bereichs für\nein einzelnes Bauelement.\n\n83 cc) Daraus ergaben sich Hinweise darauf, dass die Entstehung des\nStreifenmusters durch zweckentsprechende Ausgestaltung der darunter liegenden Schicht gefördert und positiv beeinflusst werden kann. Aus D18 ergab sich\nferner der Hinweis, dass es hierzu nicht zwingend der in D3 eingesetzten\nWachstumskontrollmembran bedarf, sofern die einzelnen Bauelemente - einschließlich des Streifengrats - in zweckmäßiger Weise zwischen zwei Streifen\nmit hoher Versetzungsdichte angeordnet werden.\n\n84 dd) Aus beiden Entgegenhaltungen konnte der Fachmann zudem Hinweise darauf entnehmen, dass die Ausbildung von Streifen in Zusammenhang\nsteht mit der Polarität der jeweiligen Schichten.\n\n85 Der Fachmann hatte vor diesem Hintergrund Veranlassung, nach anderen im Stand der Technik geläufigen Methoden zur Erreichung dieses Ziels zu\nsuchen. Nach den Feststellungen des Patentgerichts konnte er hierzu auf allgemeines Fachwissen zurückgreifen, wonach der Einsatz eines Substrats mit\n\nStreifen unterschiedlicher Polarität und Versetzungsdichte Spannungen innerhalb des Substrats mildert und die Oberflächeneigenschaften verbessert.\n\n86 d) Entgegen der Auffassung des Patentgerichts ergab sich aus alldem\njedoch nicht die Anregung, auf einem Substrat, das sowohl eine Fehlfläche im\nSinne der Merkmalsgruppe 2 als auch ein Streifenmuster im Sinne der Merkmalsgruppe 3 aufweist, den Streifengrat im Wesentlichen parallel zu der Fehlrichtung A und damit im Wesentlichen parallel zur Richtung [1-100] anzuordnen.\n\n87 Hierbei kann dahingestellt bleiben, ob der Fachmann schon durch den\nbereits erwähnten Hinweis in D7, wonach sich der Gratabschnitt vorzugsweise\nsenkrecht zur Fehlrichtung der ersten Galliumnitrid-Schicht ausbreitet, davon\nabgehalten wurde, eine hiervon diametral abweichende Ausrichtung in Betracht\nzu ziehen, oder ob der vom Patentgericht in Zusammenhang mit dem erstinstanzlichen Hauptantrag erörterte Gesichtspunkt der leichteren Spaltbarkeit\nAnlass gab, über Alternativen nachzudenken. Jedenfalls für ein Substrat, das\nstreifenförmige Regionen mit abwechselnder Versetzungsdichte aufweist, ergaben sich nämlich auch aus D3 und D18 deutliche Hinweise darauf, dass der\nStreifengrat grundsätzlich parallel zu diesen Streifen anzuordnen ist. Bei dieser\nAusgangslage hatte der Fachmann jedenfalls keine Veranlassung, von der in\nD7 als vorzugswürdig bezeichneten Anordnung in erheblichem Ausmaß abzuweichen.\n\n88 aa) Wie bereits oben aufgezeigt wurde, wird bei dem in D3 offenbarten\nVerfahren der Wafer nach Aufbringen aller Elemente senkrecht zur Richtung\nder Streifengrate in Barren aufgeteilt, in denen die einzelnen Bauelemente seitlich angeordnet sind (D3b Abs. 77). Zwischen diesen Bauteilen liegen die\nBruchstellen, deren Breite und Form von der Dicke der Wachstumskontrollmembran abhängt (D3b Abs. 79 mit Figuren 3 bis 5).\n\n89 Daraus ist zu entnehmen, dass die Streifengrate parallel zu den Bruchstellen und damit parallel zu den Streifen mit unterschiedlicher Versetzungsdichte ausgerichtet sind.\n\n90 bb) Eine zusätzliche Bestätigung dafür ergibt sich aus der Beschreibung\nzu den weiteren Ausführungsbeispielen in D18 und den dazu gehörenden, oben\nwiedergegebenen Figuren 11 bis 13. In allen drei Figuren erstreckt sich der Bereich für ein einzelnes Bauelement über eine Region (11) mit erhöhter Versetzungsdichte hinweg.\n\n91 Da diese Regionen als nachteilig eingestuft werden, während den dazwischen liegenden Regionen (25) hohe Luminiszenz bescheinigt wird, spricht alles dafür, den Streifengrat auch bei dieser Ausführungsform parallel zum Streifenmuster des Substrats auszurichten.\n\n92 cc) Dies deckt sich, wie die Berufung zu Recht geltend macht, mit den\nAusführungen in D7, wonach der Streifengrat bei einem Substrat gemäß der\nErfindung Nr. 1 vorzugsweise senkrecht zur Fehlrichtung anzuordnen ist.\n\n93 D7 lassen sich zwar keine ausdrücklichen Hinweise dazu entnehmen,\nwie der Streifengrat in Bezug auf ein streifenförmiges Muster aus Regionen mit\ngeringer und hoher Versetzungsdichte angeordnet werden soll. Bei dem zweiten Ausführungsbeispiel von Erfindung Nr. 1, bei dem die Fehlfläche auf einer\nGalliumnitrid-Schicht ausgebildet wird, die unter Einsatz von Siliziumdioxid-Streifen hergestellt wurde und deshalb ein Streifenmuster aufweist, wird in den\noben wiedergegebenen Figuren 3c und 3d aber eine Ausgestaltung gezeigt, bei\nder das Streifenmuster parallel zu den aufgrund der Fehlfläche entstandenen\nTerrassenstufen verläuft. Dies wiederum steht in Einklang mit dem erwähnten\nHinweis, den Streifengrat senkrecht zur Fehlrichtung anzuordnen. An anderer\nStelle der Beschreibung wird zwar ausgeführt, die Fehlrichtung könne auch um\n10, 20 oder 30 Grad von einer M-Richtung abweichen. Ein ausdrücklicher Hin-\n\nweis darauf, wie solche Ausgestaltungen mit einem zusätzlichen Streifenmuster\nzu kombinieren sind, ist der Beschreibung aber nicht zu entnehmen. Selbst\nwenn die genannten Ausführungen und der Umstand, dass die Ausrichtung des\nStreifengrats in D7 nicht zwingend vorgegeben ist, dem Fachmann Anlass gegeben hätten, eine abweichende Ausrichtung des Streifengrats in Erwägung zu\nziehen, hätte sich daraus jedenfalls nicht die Anregung ergeben, von dem in D7\ndurch zwei Gesichtspunkte nahegelegten Wert über die dort genannte Grenze\nvon 30 Grad hinaus abzuweichen.\n\n94 dd) Vor diesem Hintergrund ergab sich für den Fachmann weder aus D7\nnoch aus D3 oder D18 eine Anregung, von einer parallelen Anordnung der\nstreifenförmigen Regionen und der Terrassenstufen grundlegend abzurücken\nund stattdessen den Streifengrat im Wesentlichen parallel zur Richtung [1-100]\nauszurichten.\n\n95 Hierbei kann dahingestellt bleiben, ob diese Kombination ohne weiteres\noder zumindest unter bestimmten Voraussetzungen zu den von der Beklagten\npostulierten Vorteilen hinsichtlich der Oberflächenstruktur und der optischen\nEigenschaften führt. Selbst wenn dies zu verneinen wäre, ist nicht zu erkennen,\ndass die mit Patentanspruch 1 beanspruchte Kombination eine bloße Aggregation inhaltlich nicht zusammenhängender Merkmale oder eine willkürliche Auswahl unter mehreren im Stand der Technik bekannten und gleichermaßen naheliegenden Möglichkeiten darstellt. Die Anordnung des Streifengrats mag zwar\nkeine Auswirkungen auf die kristallinen Eigenschaften der darunter liegenden\nKristallschichten haben. Sie ist dennoch nicht beliebig, weil die Beschaffenheit\ndieser Schichten nach den Ausführungen in D7, D3 und D18 Auswirkungen auf\ndie optischen Eigenschaften des Laserelements hat und diese durch den Streifengrat ebenfalls maßgeblich beeinflusst werden. Dieser Einfluss ist nach den\nFeststellungen des Patentgerichts zwar umso geringer, je kleiner der Fehlwinkel\nist. Daraus ergab sich für den Fachmann aber nicht die Schlussfolgerung, dass\ner bei einer Vorrichtung, die neben einem Fehlwinkel auch eine Struktur aus\n\nStreifen mit unterschiedlicher Versetzungsdichte aufweist, über die Anordnung\ndes Streifengrats unabhängig von allen übrigen Parametern frei entscheiden\nkann. Er hatte deshalb keine Veranlassung, insoweit substantiell von den im\nStand der Technik offenbarten Ansätzen abzuweichen.\n\n96 IV. Die Kostenentscheidung beruht auf § 121 Abs. 2 PatG und § 92\nAbs. 1 ZPO.\n\nMeier-Beck Gröning Bacher\n\nSchuster Kober-Dehm\n\nVorinstanz:\nBundespatentgericht, Entscheidung vom 30.01.2014 - 4 Ni 38/11 (EP) -","source":null,"source_url":null,"url":"https://recht.nulegal.eu/rechtsprechung/bgh/2016-03-01/x-zr-19-14","cited_norms":[{"jurabk":"PatG","ref":"§ 121","ref_norm":"121","n":1},{"jurabk":"ZPO","ref":"§ 92","ref_norm":"92","n":1}],"authoritative_source":null,"attribution":null,"source_info":{"name":"nu:legal Deutsches Recht","operator":"Nulegal GmbH","terms":"https://recht.nulegal.eu/nutzungsbedingungen","attribution":"Source: nu:legal – recht.nulegal.eu","license_url":"https://recht.nulegal.eu/license","url":"https://recht.nulegal.eu/rechtsprechung/bgh/2016-03-01/x-zr-19-14","retrieved":"2026-10-24 08:01:23.814689+00:00"},"card":{"id":"bgh/2016-03-01/x-zr-19-14","court":"BGH","court_id":"bgh","court_as_stated":"BGH","panel":"10. 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A nitride semiconductor laser device comprising, on a principal face of a nitride semiconductor substrate (101):\na nitride semiconductor layer (203) having a first conductivity type;\nan active layer (205); and\na nitride semiconductor layer (208) having a second conductivity\ntype that is different from said first conductivity type, and on the surface of which is formed a stripe ridge (209);\nwherein the said principal face of said nitride semiconductor substrate\n(101) has an off angle a (θa) in a direction substantially perpendicular to the\nM plane (1-100) and substantially parallel to said stripe ridge (209);\ncharacterized in that said principal face further has an off angle b (θb) in a\ndirection substantially parallel to the M plane (1-100) and substantially orthogonal to said stripe ridge (209), and satisfying the relationship\n│θa│ > │θb│ > 0,\nwherein said principal face of said nitride semiconductor substrate (101)\ncomprises a first region comprising the C face (0001) and a second region\nhaving at least a crystal growth face different from that of said first region,\nwherein the first region and the second region have polarities separated as\nstripes.\n\n2. The device of claim 1, wherein said nitride semiconductor layer (203) having said first conductivity type comprises a laterally grown nitride semiconductor layer comprising aluminum.\n\n3. The device of claim 1, wherein a core region (204, 205, 207) including an\nactive layer (205) is formed between said semiconductor layer (203) having\nsaid first conductivity type and said semiconductor layer (208) having said\nsecond conductivity type, and at least one of said semiconductor layer\n(203) having said first conductivity type and said semiconductor layer (208)\nhaving said second conductivity type comprises successively, a first nitride\nsemiconductor layer that is closest to an outermost layer (204, 207) of said\ncore region (204, 205, 207) and a second nitride semiconductor layer, a refraction differential existing between the outermost layer (204, 207) of said\ncore region (204, 205, 207) and said first nitride semiconductor layer, and\nbetween said first nitride semiconductor layer and said second nitride semiconductor layer.\n\n4. The device of claim 3, wherein said first nitride semiconductor layer has a\nlower refractive index than the outermost layer of said core region (204,\n205, 207).\n\n5. The device of claim 3, wherein said second nitride semiconductor layer has\na lower refractive index than said first nitride semiconductor layer.\n\n6. The device of claim 3, wherein the refractive index differential (∆n1) between the outermost layer (204, 207) of said core region (204, 205, 207)\nand said first nitride semiconductor layer and/or the refractive index differential (∆n2) between said first nitride semiconductor layer and said second\nnitride semiconductor layer is 0.004 to 0.03.\n\n7. The device of claim 3, wherein\nan n-type nitride semiconductor layer (203) comprises a first n-type nitride\nsemiconductor layer in contact with the outermost layer (204) of the core\nregion (204, 205, 207) and a number m of successive n-type nitride semiconductor layers up to an nitride semiconductor layer number m (m ≥ 2);\n\na p-type nitride semiconductor layer (208) comprises a first p-type nitride\nsemiconductor layer in contact with the outermost layer (207) of the core\nregion (204, 205, 207); and\nthe refractive index of the n-type nitride semiconductor layer number m\n(m ≥ 2) is greater than the refractive index of the first p-type nitride semiconductor layer.\n\n8. The device of claim 3, wherein the refractive index differential (∆n) between\nthe n-type nitride semiconductor layer number m (m ≥ 2) and the p-type nitride semiconductor layer is 0.004 to 0.03.\n\n9. 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